[發明專利]基于碲化鎘的薄膜光伏器件的多層N型堆棧及其制造方法

有效

• 申請號: 201210175095.1
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN102810593A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: S.D.費爾德曼-皮博迪;R.D.戈斯曼
• 申請（專利權）人: 初星太陽能公司
• 主分類號: H01L31/073
• 分類號: H01L31/073;H01L31/0296;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 柯廣華;朱海煜

1.?一種薄膜光伏器件(10)，包括：

玻璃(12)；

所述玻璃(12)上的透明傳導氧化層(14)；

所述透明傳導氧化層(14)上的多層n型堆棧(16)，其中所述多層n型堆棧(16)包括第一層(17)和第二層(18)，所述第一層(17)包含鎘和硫，而所述第二層(18)包含鎘和氧；以及

所述多層n型堆棧(16)上的吸收器層(20)。

2.?如權利要求1所述的器件，其中，所述吸收器層(20)包含碲化鎘。

3.?如權利要求1所述的器件，其中，所述第一層(17)包含硫化鎘。

4.?如權利要求1所述的器件，其中，所述第二層(18)包含氧化鎘。

5.?如權利要求1所述的器件，其中，所述第二層(18)還包含硫。

6.?如權利要求5所述的器件，其中，所述第二層(18)包含CdSO_x，其中x為3或4。

7.?如權利要求1所述的器件，其中，所述多層n型堆棧(16)還包括第三層(19)，所述第三層(19)包含鎘。

8.?如權利要求7所述的器件，其中，所述第三層(19)還包括氧。

9.?如權利要求7所述的器件，其中，所述第三層(19)還包括硫。

10.?如權利要求7所述的器件，其中，所述第三層(19)包含硫化鎘、氧化鎘、亞硫酸鎘或硫酸鎘中的至少兩種。

11.?如權利要求7所述的器件，其中，所述第三層(19)設在所述第一層(17)與所述第二層(18)之間。

12.?如權利要求1所述的器件，還包括：

電阻透明緩沖層(15)，其位于所述透明傳導氧化層(14)和所述多層n型堆棧(16)之間。

13.?如權利要求1所述的器件，其中，所述多層n型堆棧(16)具有的厚度在約10?nm與約100?nm之間。

14.?一種形成薄膜光伏器件(10)的方法，所述方法包括：

將第一層(17)沉積在透明傳導氧化層(14)上，其中所述透明傳導氧化層(14)在玻璃基板(12)上，以及其中所述第一層(17)包含鎘和硫；

將第二層(18)沉積在所述透明傳導氧化層(14)上，其中所述第二層(18)包含鎘和氧，以及其中所述第一層(17)和所述第二層(18)形成多層n型堆棧(16)；以及

將碲化鎘層(20)沉積在所述多層n型堆棧(16)上。

15.?如權利要求14所述的方法，還包括：

將第三層(19)沉積在所述透明傳導氧化層(14)上，其中所述第三層(19)包括鎘，并且其中所述第一層(17)、所述第二層(18)、以及所述第三層(19)形成多層n型堆棧(16)。