[發明專利]GaN基LED網孔電極的制作方法有效
| 申請號： | 201210174972.3 | 申請日： | 2012-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN102709433A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發明（設計）人： | 王家鑫;吳奎;曾一平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gan led 網孔 電極 制作方法 | ||
1.一種GaN基LED網孔電極的制作方法，包括以下步驟：
1)在GaN基外延片的表面蒸鍍ITO膜；
2)在ITO膜的表面排列一單層緊密排列的自組裝球；
3)加熱，使自組裝球與ITO膜結合牢固；
4)采用ICP方法，刻蝕自組裝球，經過刻蝕后，自組裝球間距變大，球半徑減小；
5)再加熱，使自組裝球在ITO膜表面有稍微塌陷，把點接觸變成面接觸；
6)在自組裝球的表面、間隙里及ITO膜的表面蒸鍍金屬；
7)采用甲苯超聲方法，去除自組裝球表面的金屬，保留ITO膜表面金屬；
8)高溫處理，使自組裝球氣化，使ITO膜表面的金屬形成網孔狀電極，完成網孔電極的制作。
2.根據權利要求1所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中所述的自組裝球的材料為聚苯乙烯，或者氧化硅，等有機高分子球，球的直徑為0.5-1um。
3.根據權利要求1所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中加熱的溫度為80℃。
4.根據權利要求1所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中采用ICP方法，刻蝕氣體為氧氣，300W的啟輝功率，10W刻蝕功率，刻蝕時間為1-2min。
5.根據權利要求1所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中再加熱的溫度為105℃，時間為1-5min。
6.根據權利要求1所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中蒸鍍的金屬為Ni和Au，Ni的厚度為1-5nm，Au的厚度為10-50nm。
7.根據權利要求1所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中采用甲苯超聲方法的時間為4-6min。
8.根據權利要求1所述的GaN基LED網孔電極的制作方法，其中高溫處理的溫度為500-600℃，時間為25-35min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所，未經中國科學院半導體研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210174972.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
