[發(fā)明專利]一種高穩(wěn)態(tài)多端口PUF電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210174966.8 | 申請日: | 2012-05-28 | 
| 公開(公告)號: | CN102710252A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張躍軍;汪鵬君;張學龍 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波大學 | 
| 主分類號: | H03K19/094 | 分類號: | H03K19/094 | 
| 代理公司: | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程曉明 | 
| 地址: | 315211 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 穩(wěn)態(tài) 多端 puf 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種芯片PUF防偽技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種高穩(wěn)態(tài)多端口PUF電路。
背景技術(shù)
2001年3月Pappu在《Physical?One-Way?Functions》中提出的物理不可克隆函數(shù)(Physical?Unclonable?Functions,簡稱PUF)具有唯一性和不可克隆性,可以被廣泛用來作為身份認證和防偽手段。集成芯片上采用PUF技術(shù)最早由麻省理工大學的Gassend等研究人員提出。PUF技術(shù)是一種芯片領(lǐng)域的“生物特征”識別技術(shù),也可以稱之為“芯片DNA”技術(shù),其通過PUF電路提取芯片制造過程中不可避免產(chǎn)生的工藝偏差(包括氧化層厚度,W/L和隨機離子參雜等因素),生成無限多個、特有的密鑰,這些密鑰不可預(yù)測和安排,永久存在,即使是芯片的制造商也無法仿制。PUF電路從芯片上動態(tài)提取這個芯片所特有的無限多的密鑰,這些密鑰可以廣泛的應(yīng)用于芯片的安全和防偽。PUF技術(shù)可以提高芯片和芯片系統(tǒng)的安全和可靠等級,在芯片安全防偽領(lǐng)域取得了廣泛的應(yīng)用。
目前,芯片的PUF防偽技術(shù)中主要采用傳統(tǒng)的單端口PUF電路。傳統(tǒng)的單端口PUF電路中的PUF電路單元主要采用Holcomb等提出的利用SRAM上電初始值實現(xiàn)PUF的電路結(jié)構(gòu)。如圖1所示,該PUF電路單元由交叉耦合反相器V1、第一NMOS傳輸管T1和第二NMOS傳輸管T2構(gòu)成。交叉耦合反相器由兩個NMOS管和兩個PMOS管組成,第一NMOS傳輸管T1和第二NMOS傳輸管T2與交叉耦合反相器的連接點Q和????????????????????????????????????????????????為兩個狀態(tài)節(jié)點。當PUF電路單元沒有接電源的時候,兩個狀態(tài)節(jié)點都為00;當PUF電路單元接通電源后,由于交叉耦合反相器存在不同的驅(qū)動能力,00不穩(wěn)定的狀態(tài)將過渡到穩(wěn)定的狀態(tài)10或01,11狀態(tài)為不穩(wěn)定狀態(tài)和不可到達。交叉耦合反相器的狀態(tài)由組成其的晶體管閾值電壓匹配情況決定,PUF電路單元產(chǎn)生的邏輯電平輸出對應(yīng)交叉耦合反相器隨機Vt的工藝偏差。該PUF電路單元主要利用指紋識別的方法來提取SRAM上電產(chǎn)生的物理指紋,從而有效地提取制造時的物理器件隨機的閾值電壓失配,并消除隨機噪聲的干擾,但是在第一NMOS傳輸管T1和第二NMOS傳輸管T2都打開的情況下,Q和兩個狀態(tài)節(jié)點直接與外部電路導通,其邏輯狀態(tài)容易受到外部信號和噪聲的干擾,以致PUF電路單元噪聲容限較小,穩(wěn)定性較差。由于單端口PUF電路只具有一個端口,每次訪問只能輸出一個密鑰,當需要輸出多個密鑰時,需要對其進行頻繁訪問,不但耗時而且會導致功耗增加。為此,多端口PUF電路的研究具有現(xiàn)實意義。另外如果將上述PUF電路單元應(yīng)用于多端口PUF電路,該PUF電路單元的噪聲容限會隨著端口的增加而越來越小,從而多端口PUF電路的噪聲容限也越來越小,以致多端口PUF電路的輸出結(jié)果很容易受到噪聲的干擾,可靠性和準確性很低,芯片安全性能差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種具有多個相互獨立的訪問端口,可以實現(xiàn)一次訪問中輸出多個密鑰,避免對PUF電路的頻繁訪問,節(jié)省時間、功耗較低的高穩(wěn)態(tài)多端口PUF電路。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:一種高穩(wěn)態(tài)多端口PUF電路,包括譯碼電路模塊、PUF電路單元陣列、靈敏放大器、選擇器、鎖存器、時序控制電路模塊和FIFO輸出電路單元,所述的譯碼電路模塊與所述的PUF電路單元陣列連接,所述的PUF電路單元陣列與所述的靈敏放大器連接,所述的靈敏放大器與所述的選擇器連接,所述的選擇器與所述的鎖存器連接,所述的鎖存器與所述的FIFO輸出電路單元連接,所述的時序控制電路模塊分別與所述的譯碼電路模塊、所述的PUF電路單元陣列、所述的靈敏放大器、所述的選擇器和所述的鎖存器連接,所述的PUF電路單元陣列包括至少兩個PUF電路單元。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧波大學,未經(jīng)寧波大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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