[發明專利]一維密排六方晶體結構鎳納米線的制備方法

有效

• 申請號: 201210174834.5
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN103031583A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 田豐;陳宏斌;蹇敦亮;劉毅
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: C25D11/34
• 分類號: C25D11/34
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一維密排六方晶體結構鎳納米線的制備方法，包括以下步驟：

A、模板：

準備具有均勻分布的通孔的模板，所述模板包括：氧化鋁模板、多肽膜；

B、直流電沉積：

b1、直流電沉積：將模板的一面濺射上一層銀作為陰極，待鍍金屬作陽極，放入電鍍槽中，待鍍金屬鹽溶液為電鍍液；以及

b2、參數控制：在步驟b1的陰極、陽極間加上設定的電壓，保持電路電壓恒定，控制沉積時間，即得到生長在模板孔中的密排六方晶體結構的鎳納米線陣列。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁模板的制備過程，包括以下步驟：

a1、第一次陽極氧化：去油拋光后的鋁片作為陽極，銅為對電極，在酸性電解液中，溫度保持在0℃，電極間電壓為40V，陽極氧化12h，在鋁片的表面生成氧化鋁層；

a2、第一次除去氧化鋁層：采用鉻酸和磷酸混合溶液除去生成的氧化鋁層，洗凈；

a3、第二次陽極氧化：將步驟a2除去氧化鋁層后的鋁片作為陽極，銅為陰極，進行第二次陽極氧化，在酸性電解液中，溫度保持在0℃，電極間電壓為40V，陽極氧化時間為2~3h，經過第二次陽極氧化后，鋁片表面就形成均勻分布氧化鋁孔道陣列，在孔道底部和鋁片結合處有一層薄的阻擋層；以及

a4、除去阻擋層和擴孔：采用酸性氯化銅溶液除去剩余的氧化鋁層，所述酸性氯化銅溶液為15gCuCl₂+30ml?35wt%鹽酸+270ml水；然后用5wt%磷酸溶液去阻擋層，洗凈，烘干，形成具有均勻分布的通孔的氧化鋁模板。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟a1和a3中，所述電解液采用磷酸、草酸、硫酸的任一種。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟a2中，按照重量比，所述15wt%鉻酸和10wt%磷酸的體積比為1：5。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟a3中，所述陽極氧化時間為2h。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟b1中，陽極為鎳，所述電鍍液含220g/l?NiSO₄·6H₂O,30g/l?NiCl₂and?10g/l?H₃BO₃。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟b2中，沉積時間1～10min。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟b2中，電壓恒定在2~4V之間的某一值。