[發明專利]一種光學防偽元件及其制備方法有效
| 申請號： | 201210174818.6 | 申請日： | 2012-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN103448411A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發明（設計）人： | 張巍巍;王曉利;孫凱 | 申請（專利權）人： | 中鈔特種防偽科技有限公司;中國印鈔造幣總公司 |
| 主分類號： | B42D25/324 | 分類號： | B42D25/324;G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰濱;南毅寧 |
| 地址： | 100070 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光學 防偽 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種光學防偽元件，該光學防偽元件包括基材（3），所述基材（3）包括第一表面（31）和第二表面（32），所述第一表面（31）上的部分區域為亞波長微浮雕結構、部分區域為平坦表面結構，所述亞波長微浮雕結構和所述平坦表面結構上均依次層疊有第一介質層、第二介質層和第三介質層，在特定觀察角度下，所述亞波長微浮雕結構區域和所述平坦表面結構區域的顏色相同，在其他觀察角度，所述亞波長微浮雕結構區域和所述平坦表面結構區域的顏色不相同。
2.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述特定觀察角度是0度或者大于0度的其他值。
3.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述第一介質層和所述第三介質層的折射率大于或等于1.7。
4.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述第一介質層和所述第三介質層的厚度為10nm至300nm。
5.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述第一介質層和所述第三介質層的厚度為50nm至200nm。
6.根據權利要求3至5中任一權利要求所述的光學防偽元件，其中，所述第一介質層和所述第三介質層的材料選自ZnS、TiN、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti3O5、Ta2O5、Nb2O5、CeO2、Bi2O3、Cr2O3、Fe2O3中的任意材料或其組合。
7.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述第二介質層的折射率小于1.7。
8.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述第二介質層的厚度為50nm至1000nm。
9.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述第二介質層的厚度為100nm至500nm。
10.根據權利要求7至9中任一權利要求所述的光學防偽元件，其中，所述第二介質層的材料選自SiO2、MgF2、Na3AlO6、Al2O3中的任意材料或其組合。
11.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述亞波長微浮雕結構為一維光柵且方向可變。
12.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述亞波長微浮雕結構的周期、槽深和槽型中的至少一者是可變的。
13.根據權利要求12所述的光學防偽元件，其中，所述亞波長微浮雕結構在x方向和/或y方向上的周期為50nm至500nm。
14.根據權利要求12所述的光學防偽元件，其中，所述亞波長微浮雕結構在x方向和/或y方向上的周期為200nm至400nm。
15.根據權利要求12所述的光學防偽元件，其中，所述槽深位于10nm至500nm的范圍內。
16.根據權利要求12所述的光學防偽元件，其中，所述槽深位于50nm至200nm的范圍內。
17.根據權利要求12所述的光學防偽元件，其中，所述槽型為正弦形、矩形、鋸齒形中的至少一者。
18.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述基材（3）為透明或非透明、有色或無色的薄膜。
19.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述基材（3）的第一表面（31）上覆蓋有透明/半透明的涂層，以使光線透過。
20.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述基材（3）的部分或全部第二表面（32）上覆蓋有吸收層。
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