[發明專利]從曝光結果改進光學鄰近模擬的方法有效
| 申請號: | 201210174744.6 | 申請日: | 2012-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103019027A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 黃登煙 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光 結果 改進 光學 鄰近 模擬 方法 | ||
技術領域
本發明與一種根據實際曝光結果來改善光學鄰近模擬的方法有關,以在光掩模上輸出正確的圖形。更特定來說,本發明是關于一種根據實際曝光結果來改善光學鄰近模擬的方法,其通過收集誤差值小于一預定值的調整后模擬參數,以在光掩模上輸出正確的圖形。
背景技術
在建構光學鄰近效應修正(optical?proximity?correction,OPC)模型時,晶圓上線寬量測數據的質量是其最重要的指標之一。現今的線寬量測中廣泛地采用fitting?logic法及maximal?algorithm法來進行。然,現有用以建構OPC模型的OPC數據收集作法中仍有一些問題存在。
一般而言,建構一個好的OPC模型其所需要的OPC數據是越多越好,但是這也代表會需要花費許多時間來滿足此需求。其它的問題尚有:難以厘清線寬量測的變量、SEM線寬量測機臺僅能提供寬度與長度的信息、以及無法顯示角落信息等。
目前,業界已有人提出了優化SEM線寬量測機臺的量測參數的方法,其可通過數個取樣點的數據來盡量降低量測變量的影響,以獲得較佳質量結果或是改變其平均值。
發明內容
本發明提出了一種根據曝光結果來改進光學鄰近模擬的方法,以在光掩模上輸出正確的圖形。首先,判定一曝光結果的曝光信息中的多個曝光數據。提供一對應所述曝光結果且根據多個原始模擬參數產生的原始模擬結果。之后,檢驗從原始模擬結果獲得的原始誤差值與從曝光結果獲得的原始誤差值以確認其是否位于一預定范圍內。如果沒有,所述原始模擬參數會受到調整,以獲得調整后的模擬參數以及一調整后模擬結果。從所述調整后模擬結果獲得的調整后誤差值與所述曝光結果獲得的調整后誤差值在其原始誤差值未位于所述預定范圍內時會受到檢驗。所述調整后模擬參數會受到連續的調整直到其位于所述預定范圍內為止。之后調整后誤差值未于預定范圍內的調整后模擬參數會被收集來獲得一光學鄰近修正模型,以在光掩模上輸出一圖形。
在本發明一實施例中,曝光信息牽涉到一曲線圖形,如一圓形或橢圓形。
在本發明另一實施例中,曝光數據會包含至少一第一取樣數據、一第二取樣數據、一第三取樣數據、以及一第四取樣數據。
在本發明另一實施例中,所述第一取樣數據為所述曲線圖形的最大半徑與最小半徑的其中一個。
在本發明另一實施例中,所述第二取樣數據、第三取樣數據、以及第四取樣數據會分別對應到上述曲線圖形的最大半徑與最小半徑的其中一個上一點的尺度,且該點會通過下列公式來判定:
k?/2n
其中n為比2大的自然數,而k為比2n小的奇數。
在本發明另一實施例,每一第二取樣數據、第三取樣數據、以及第四取樣數據是從非對稱點獲得。
在本發明另一實施例,取樣點是從3/(2n)到(2n-3)/(2n)的群組中所選出。
在本發明另一實施例中,原始模擬結果包含至少一第一原始模擬數據、一第二原始模擬數據、一第三原始模擬數據、以及一第四原始模擬數據,其分別對應到曝光數據的第一取樣數據、第二取樣數據、第三取樣數據、以及第四取樣數據。
在本發明另一實施例中,曝光數據是通過將曝光結果的影像數據與數字數據作比對而獲得。
在本發明另一實施例中,原始模擬參數包含數值孔徑(N.A)、sigma?in/out值,dsigma?in/out值、影像模糊值(image?diffusion)、切趾損失(apodization?loss)、def?start值中的其中一個。
在本發明另一實施例中,原始誤差值為一均方根值。
在本發明另一實施例中,調整原始模擬參數的動作可能更包含下列步驟。首先,將原始模擬參數的一第一參數調整至最小值。調整后的誤差值會被檢驗以確認其是否位于預定范圍內或是小于先前的誤差值。
在本發明另一實施例中,其方法可能更包含下列步驟。所述第一參數在其調整后最小誤差值小于原始誤差值時會被固定。
在本發明另一實施例中,其方法可能更包含下列步驟。所述第一參數會被調整至最大值并在第一參數調整后最小的誤差值不小于先前誤差值時會受到檢驗來確認所述調整后誤差值是否位于預定范圍內或是小于先前的誤差值。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





