[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

無效

• 申請號: 201210174363.8
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102806177A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 宮本英典;佐保田勉
• 申請（專利權）人: 東京應化工業株式會社
• 主分類號: B05C9/14
• 分類號: B05C9/14;B05C11/02;B05C13/02;B05D1/38;B05D3/02;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

1.一種基板處理裝置，其具備：

第一腔，其具有將含有易氧化性的金屬及溶劑的液狀體的涂敷膜形成在基板上的涂敷部；

第二腔，其具有對所述涂敷膜進行加熱的第一加熱部；

連接部，其將所述第一腔與所述第二腔之間連接，

在所述連接部設有對涂敷在所述基板上的所述涂敷膜進行加熱的第二加熱部及對所述涂敷膜的周圍的壓力進行調整的壓力調整部。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述基板處理裝置具備對所述第二加熱部與所述基板的距離進行調整的距離調整部。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中，

所述距離調整部具有使所述第二加熱部及所述基板中的至少一方的移動對象物移動的移動部。

4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述第二加熱部與所述基板中的形成有所述涂敷膜的面對置配置。

5.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其中，

所述移動部使所述移動對象物沿鉛直方向移動。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述連接部具有向所述涂敷膜的周圍供給氣體的氣體供給部。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述連接部具有包圍所述基板及所述第二加熱部的第三腔。

8.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其中，

所述基板處理裝置具備在所述第一腔、所述第三腔和所述第二腔之間串聯地搬運所述基板的基板搬運部。

9.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述第一加熱部以使所述涂敷膜所含有的易氧化性的所述金屬中的至少一部分熔融的溫度對所述涂敷膜進行加熱。

10.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，

所述基板處理裝置具備第四腔，所述第四腔具有將由所述第一加熱部加熱后的所述涂敷膜以比所述第一加熱部的加熱溫度高的溫度進行加熱的第三加熱部。

11.一種基板處理方法，其包括：

在第一腔中，將含有易氧化性的金屬及溶劑的液狀體的涂敷膜形成在基板上的涂敷步驟；

將形成有所述涂敷膜的所述基板向經由連接部而與所述第一腔連接的第二腔搬運的搬運步驟；

在所述第二腔中，對在所述基板上形成的所述涂敷膜進行加熱的加熱步驟，

所述搬運步驟包括干燥步驟，所述干燥步驟中，在所述連接部中對在所述基板上涂敷的所述涂敷膜進行加熱，并且對所述涂敷膜的周圍的壓力進行調整，使所述涂敷膜所含有的所述溶劑的至少一部分氣化。

12.根據權利要求11所述的基板處理方法，其中，

所述基板處理方法包括在所述加熱步驟后，將所述涂敷膜及所述基板冷卻到規定的溫度的冷卻步驟。

13.根據權利要求12所述的基板處理方法，其中，

所述基板處理方法包括在所述冷卻步驟后，將所述基板從所述第二腔向所述第一腔搬運的第二搬運步驟。

14.根據權利要求13所述的基板處理方法，其中，

在所述第二搬運步驟后，通過相對于所述基板重復進行所述涂敷步驟、所述搬運步驟、所述加熱步驟、所述冷卻步驟及所述第二搬運步驟，從而在所述基板上層疊所述涂敷膜。

15.根據權利要求14所述的基板處理方法，其中，

所述基板處理方法包括在所述基板上層疊所述涂敷膜后，對層疊的所述涂敷膜以比所述加熱步驟中的加熱溫度高的溫度進行加熱的第二加熱步驟。