[發明專利]LED控制器及其方法

有效

• 申請號: 201210173532.6
• 申請日: 2007-09-11
• 公開（公告）號: CN102685992A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 亞歷杭德羅·拉臘-阿斯科爾拉;斯蒂芬·P·羅伯;阿蘭·R·保爾
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種形成LED控制器的方法，其包括：

配置縱向N-溝道晶體管，以在所述縱向N-溝道晶體管的漏極上接收電源電壓，并通過所述縱向N-溝道晶體管的源極向LED提供負載電流，其中，所述縱向N-溝道晶體管的柵極接收控制電壓，所述控制電壓在所述縱向N-溝道晶體管的工作特性的飽和區中操作所述縱向N-溝道晶體管；以及

配置控制電路以形成所述控制電壓而不使用電荷泵電路。

2.根據權利1所述的方法，其中，所述配置控制電路以形成所述控制電壓而不使用電荷泵電路的步驟包括：配置串聯的多個晶體管，耦接所述多個晶體管中的一個晶體管以接收表示所述負載電流和所述負載電流的期望值之間的差異的線性誤差信號，以及配置所述多個晶體管中的第二晶體管以接收第一偏置電壓并在所述第二晶體管的工作特性的線性范圍內工作。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述配置所述多個晶體管中的第二晶體管以接收所述第一偏置電壓的步驟包括：配置所述第二晶體管以接收實質上固定的第一偏置電壓，所述第一偏置電壓具有小于所述控制電壓的最大值的值。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括配置所述多個晶體管中的第三晶體管以接收小于所述第一偏置電壓的第二偏置電壓。

5.一種形成LED控制器的方法，其包括：

在半導體基片上形成縱向N-溝道晶體管；

耦接所述縱向N-溝道晶體管以接收輸入電壓并形成用于LED的負載電流；以及

配置控制電路以在飽和狀態中操作所述縱向N-溝道晶體管，從而控制所述負載電流的值。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述配置所述控制電路以在飽和狀態中操作所述縱向N-溝道晶體管的步驟包括：串聯地耦接多個晶體管，其中，所述多個晶體管中的第一晶體管響應于表示所述負載電流和所述負載電流的期望值之間的差異的誤差信號而工作，并且所述多個晶體管的每個其他晶體管降低施加給所述縱向N-溝道晶體管的柵極的的電壓一部分。