[發明專利]相變隨機存取存儲器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201210172656.2
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102810633A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 沈揆贊
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;郭放

1.一種制造相變隨機存取存儲器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上的第一層間絕緣層的接觸孔中形成開關器件；

形成具有暴露出所述開關器件的開口的第二層間絕緣層；

沿所述第二層間絕緣層的側壁形成與所述開關器件耦接的下電極圖案；

形成掩埋在所述下電極圖案中的絕緣層；

通過將所述下電極圖案的暴露的表面去除設定的高度來形成下電極，其中，所述下電極的側壁的高度低于所述第二層間絕緣層的高度；

形成將去除了所述下電極圖案的暴露的表面的所述第二層間絕緣層的孔填充的相變層；以及

在所述第二層間絕緣層的一部分和所述相變層上形成上電極。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述絕緣層包括氮化物材料。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述設定的高度等于或大于并且等于或小于

4.如權利要求1所述的方法，其中，去除所述下電極圖案的暴露的表面的刻蝕材料是包括氫氟酸HF、氟化鈹BeF₂、三氟化硼BF₃、四氟化碳CF₄、三氟化氮NF₃、氟化氧OF₂以及氟化氯ClF的二元體系氟化物材料。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述相變層的高度等于或大于并且等于或小于

6.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述相變層的步驟包括以下步驟：

在形成有所述第二層間絕緣層的半導體襯底的所得結構上生長相變材料層；以及

執行平鉭化工藝以形成掩埋在所述第二層間絕緣層的孔中的所述相變層。

7.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述相變層的步驟包括以下步驟：

在形成有所述第二層間絕緣層的半導體襯底的所得結構上生長相變材料層；以及

在形成有所述相變材料層的半導體襯底的整個表面上執行刻蝕工藝，以形成掩埋在所述第二層間絕緣層的孔中的所述相變層。

8.如權利要求7所述的方法，其中，供形成所述相變層的所述刻蝕工藝用的刻蝕材料包括氯Cl₂。

9.一種相變隨機存取存儲器件，包括：

半導體襯底，在所述半導體襯底中形成有開關器件；

層間絕緣層，所述層間絕緣層具有用于下電極的接觸孔；

下電極，所述下電極被形成在所述接觸孔中以與所述開關器件耦接，其中，所述下電極的側壁的高度低于所述層間絕緣層的高度；

絕緣層，所述絕緣層被形成在所述接觸孔中的下電極上并與所述層間絕緣層隔離；

相變層，所述相變層被形成在所述絕緣層與所述層間絕緣層之間的所述下電極上；以及

上電極，所述上電極被形成在所述相變層上。

10.如權利要求9所述的相變隨機存取存儲器件，其中，所述絕緣層被部分地掩埋在所述下電極中并且所述下電極圍繞所述絕緣層的下部。