[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201210172592.6
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102810523A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 中野誠也;友松佳史
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;李浩

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

襯底；

表面電極，在所述襯底之上用包含鋁的材料形成；

金屬膜，在所述表面電極之上用能夠進行焊接的材料形成；以及

端部固定膜，所述表面電極之上的部分和與所述金屬膜的端部重疊的重疊部分一體地形成，固定所述金屬膜的端部。

2.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

襯底；

表面電極，在所述襯底之上用包含鋁的材料形成；

保護膜，形成在所述表面電極之上；以及

金屬膜，用能夠進行焊接的材料一體地形成所述表面電極之上的部分和上搭地形成在所述保護膜的端部之上的上搭部分而成。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，具備：

端部固定膜，所述保護膜之上的部分和重疊在所述上搭部分之上的重疊部分一體地形成，固定所述金屬膜的端部。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述保護膜用聚酰亞胺膜或氮化膜形成。

5.根據權利要求1或3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬膜以具有角部的形狀形成在所述襯底上，

所述重疊部分形成在所述金屬膜的角部之上。

6.根據權利要求1至4的任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬膜具有在所述襯底上呈圓弧狀地形成的部分。