[發明專利]一種制備銀電極的方法及其應用無效
| 申請號: | 201210172317.4 | 申請日: | 2012-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN102738394A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 胡文平;江浪;董煥麗;紀德洋 | 申請(專利權)人: | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 關暢 |
| 地址: | 100080 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 電極 方法 及其 應用 | ||
1.一種制備銀電極的方法,包括下述步驟:
1)將圖案化的襯底浸泡在混合溶液中或將所述混合溶液滴注在所述圖案化的襯底上;其中,所述混合溶液由氫氧化二氨合銀溶液和含醛基化合物的溶液組成;
2)將步驟1)處理后的襯底在20-80℃保溫1-10分鐘,即得到所述銀電極。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:所述氫氧化二氨合銀溶液是按照下述方法制備得到的:將質量分數為1%-4%的氨水加入到5-10ml質量分數為2%-6%的銀鹽溶液中,混勻即得;
所述含醛基化合物的溶液是按照下述方法制備得到的:將10-200mg含醛基化合物加入到5-20ml的去離子水中,混勻即得。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述混合溶液中,所述氫氧化二氨合銀溶液和所述含醛基化合物的溶液的體積比為(1-4):(1-4)。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法,其特征在于:所述襯底為硬質襯底或非水溶性基板。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于:所述硬質襯底包括玻璃、陶瓷、硅片;所述非水溶性基板包括柔性玻璃、PEN、PI、PMMA、PS。
6.權利要求1-5中任一項所述的方法在制備下述產品中的應用:1)有機場效應晶體管;2)有機邏輯電路;3)大規模集成電路。
7.一種制備有機場效應晶體管的方法,所述有機場效應晶體管包括襯底、柵電極、絕緣層、源漏電極以及有機半導體層,包括下述步驟:1)帶有柵電極襯底的清洗;2)在所述柵電極上制備絕緣層;3)在所述絕緣層上制備源漏電極;4)在所述源漏電極上制備有機半導體薄膜;其特征在于:步驟3)在所述絕緣層上制備源漏電極的方法按照權利要求1-3中任一項所述方法進行制備。
8.一種制備有機邏輯電路的方法,所述有機邏輯電路的方法包括襯底、柵電極、絕緣層、源漏電極、有機半導體層以及柵電極與柵電極之間和/或柵電極與源漏電極之間的互連導線,包括下述步驟:1)帶有柵電極襯底的圖案化;2)在所述柵電極上制備絕緣層;3)在所述絕緣層上制備源漏電極及互連導線;4)在所述源漏電極上制備有機半導體薄膜;其特征在于:步驟3)在所述絕緣層上制備源漏電極及互連導線按照權利要求1-3中任一項所述方法進行制備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





