[發明專利]倒裝LED芯片結構及其制備方法

無效

• 申請號: 201210172102.2
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN102683524A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 張昊翔;金豫浙;封飛飛;萬遠濤;高耀輝;李東昇;江忠永
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種倒裝LED芯片結構，其特征在于，包括由下至上依次堆疊的硅合金襯底、金屬中間層、P型氮化鎵半導體層、有源層、N型氮化鎵半導體層。

2.如權利要求1所述的倒裝LED芯片結構，其特征在于：所述金屬中間層包括第一金屬中間層和第二金屬中間層。

3.如權利要求2所述的倒裝LED芯片結構，其特征在于：所述第一金屬中間層包括由下至上依次堆疊的：接觸層、光反射層和焊料層。

4.如權利要求2所述的倒裝LED芯片結構，其特征在于：所述第二金屬中間層包括：焊料層。

5.如權利要求1所述的倒裝LED芯片結構，其特征在于：所述N型氮化鎵半導體層為所述LED芯片的出光面。

6.如權利要求1所述的倒裝LED芯片結構，其特征在于：所述硅合金襯底的材料包括Si，還包括Al、Cu、Fe、Ge中的一種或其組合。

7.如權利要求1所述的倒裝LED芯片結構，其特征在于：所述硅合金襯底的Si含量為50wt%至99wt%、合金材料總含量為1wt%至49wt%、雜質含量為0wt%至1wt%。

8.如權利要求1所述的倒裝LED芯片結構，其特征在于：所述硅合金襯底的材質為含有1wt%至50wt%鋁含量的二元鋁硅合金材料。

9.一種權利要求1所述的倒裝結構LED芯片制備方法，其特征在于，包括：

提供生長基板；

在所述生長基板依次生長緩沖層、N型氮化鎵半導體層、有源層和P型氮化鎵半導體層；

在所述P型氮化鎵半導體層暴露表面生長第一金屬中間層；

提供轉移基板，所述轉移基板的材質為硅合金材料；

在所述轉移基板上生長第二金屬中間層；

將所述第一金屬中間層暴露表面與所述第二金屬中間層的暴露表面鍵合；

去除所述生長基板。

10.如權利要求9所述的倒裝結構LED芯片制備方法，其特征在于，所述倒裝結構LED芯片制備方法還包括：

去除所述緩沖層，使所述N型氮化鎵半導體層暴露，并在所述N型氮化鎵半導體層的暴露表面制作第一電極；

對所述N型氮化鎵半導體層除第一電極以外其他區域生長鈍化保護層；

從背面減薄所述轉移基板至一定厚度，在所述轉移基板的背面制作第二電極。

11.如權利要求9所述的倒裝結構LED芯片制備方法，其特征在于：所述第一金屬中間層包括由下至上堆疊的：接觸層、光反射層和焊料層。

12.如權利要求9所述的倒裝結構LED芯片制備方法，其特征在于：所述第二金屬中間層包括：焊料層。

13.如權利要求9所述的倒裝結構LED芯片制備方法，其特征在于：所述硅合金襯底的材料包括Si，還包括Al、Cu、Fe、Ge中的一種或其組合。

14.如權利要求9所述的倒裝結構LED芯片制備方法，其特征在于：所述硅合金襯底的Si含量為50wt%至99wt%、合金材料總含量為1wt%至49wt%、雜質含量為0wt%至1wt%。

15.如權利要求9所述的倒裝LED芯片結構，其特征在于：所述硅合金襯底的材質為含有1wt%至50wt%鋁含量的二元鋁硅合金材料。