[發明專利]大花萱草組培叢生苗直接生根的方法

無效

• 申請號: 201210171971.3
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102668986A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 陳超;王桂蘭;張紅心;馬云霄;孫獻明
• 申請（專利權）人: 唐山師范學院
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 唐山永和專利商標事務所 13103
• 代理人: 王永紅

技術領域

本發明涉及一種觀賞植物組織培養叢生苗的生根方法，特別是大花萱草組培叢生苗直接生根的方法，適于宿根花卉大花萱草的各品種。

背景技術

大花萱草(Hemerocallis?hybrida?hort.)系百合科萱草屬多年生草本宿根花卉，具有較強的抗旱、抗寒、抗鹽堿、抗病蟲害等特性。既可大面積種植在草坪周際，也可群植于草坪中央，增加立體效果，是園林綠化不可多得的宿根花卉新品種。經栽培觀察，一些大花品種結實率低，只能采用分株繁殖，而且年增殖率僅2-3倍，繁殖率低，遠遠不能滿足市場的大量需求。?

發明內容

本發明是針對目前大花萱草分株繁殖的缺陷，提供一種繁殖率高、繁殖周期短、成活率高的大花萱草組培叢生苗直接生根的方法。

實現上述發明目的采用的技術方案是：一種大花萱草組培叢生苗直接生根的方法，按照如下步驟進行：

首先，大花萱草組培叢生苗直接生根：

①將大花萱草外植體在培養基MS+6-BA4.0mg·L^-1+NAA0.4?mg·L^-1上誘導產生愈傷組織，該愈傷組織經增殖培養后，在分化培養基MS+6-BA_2.0?mg·L^-1+NAA_0.2?mg·L^-1上培養20天后產生叢生芽，其培養環境為：溫度23-25℃，光強2500lux，光周期12h/d；

②將帶有叢生芽的愈傷組織切塊，并將切塊轉接到不含植物生產調節劑的MS培養基上壯苗培養，培養20天后形成整齊健壯的叢生苗，此培養過程中叢生苗開始生根；

其次，叢生苗生根后移栽管理：

①當每叢苗中只要有一株生根且根長達1cm時，將該叢苗進行過渡移栽；過渡移栽時，將生根的叢生苗連帶培養基從培養瓶中取出，洗去根上的培養基，載入以蛭石為基質的栽培槽中，用地膜覆蓋栽培槽，槽內濕度保持在90%以上；

②在以后的10天內，通過薄膜打孔的方法逐步降低栽培槽內濕度至溫室正常濕度，將地膜揭去，同時在葉面開始噴施1/2MS大量元素營養液，每周一次，其基質溫度為10-25℃，30天后小苗進入常規管理。

與現有的分株繁殖相比，利用本發明所公開的這種大花萱草組培叢生苗直接生根的方法培養叢生苗，不僅繁殖倍數高，還不受季節限制，加快其繁殖速度，可滿足園林綠化的需求；本發明簡化了組培操作程序，降低了成本，提高了組培苗的移栽效率和成活率。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明做進一步說明。

這種大花萱草組培叢生苗直接生根的方法，按照如下步驟進行。

首先，大花萱草組培叢生苗直接生根：

①將大花萱草外植體在培養基MS+6-BA4.0mg·L^-1+NAA0.4?mg·L^-1上誘導產生愈傷組織，該愈傷組織經增殖培養后，在分化培養基MS+6-BA_2.0?mg·L^-1+NAA_0.2?mg·L^-1上培養20天后產生叢生芽，其培養環境為：溫度23-25℃，光強2500lux，光周期12h/d，即每天光照時間為12小時；

②將帶有叢生芽的愈傷組織切塊，塊體的大小為1cm³左右，并將切塊轉接到不含植物生產調節劑的MS培養基上壯苗培養，培養20天后形成整齊健壯的叢生苗，此培養過程中叢生苗開始生根；

這種方法培養的叢生苗具有一條以上根的叢生苗可達98%以上，生根的叢生苗并不是每個單株都有根，叢生苗的各單株間不能分開。

其次，叢生苗生根后移栽管理：

①當每叢苗中只要有一株生根且根長達1cm時，將該叢苗進行過渡移栽；過渡移栽時，將生根的叢生苗連帶培養基從培養瓶中取出，洗去根上的培養基，載入以蛭石為基質的栽培槽中，用地膜覆蓋栽培槽，槽內濕度保持在90%以上；

②在以后的10天內，通過薄膜打孔的方法逐步降低栽培槽內濕度至溫室正常濕度，將地膜揭去，同時在葉面開始噴施1/2MS大量元素營養液，每周一次，其基質溫度為10-25℃，30天后小苗進入常規管理。1/2MS大量元素營養液是利用組織培養上常用的MS培養基配方，即：MS基本培養基的大量元素、微量元素和鐵鹽成分作為噴施營養液，其中只有大量元素用量減半，微量元素和鐵鹽的用量不變；

經蛭石過渡的叢生苗，每個單株無論過渡前有沒有根均生出新根，且很容易分開，每叢可產生3-8株獨立的苗。