[發(fā)明專利]光敏化合物梯度光刻膠

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210171596.2
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN102903629A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余振華;劉重希;郭宏瑞
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;G03F7/004
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；以及

光刻膠，位于所述襯底的上方，所述光刻膠包括光敏化合物，所述光敏化合物隨著所述光刻膠遠離所述襯底延伸而具有濃度梯度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底進一步包括：

第一半導(dǎo)體襯底；以及

管芯，位于所述第一半導(dǎo)體襯底的上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述光刻膠進一步包括：

第一光刻膠層，具有第一濃度的光敏化合物；以及

第二光刻膠層，具有第二濃度的光敏化合物，所述第二濃度小于所述第一濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一濃度是達到預(yù)期臨界程度的濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述光刻膠進一步包括：

第三光刻膠層，具有第三濃度的光敏化合物，所述第三濃度小于所述第二濃度；以及

第四光刻膠層，具有第四濃度的光敏化合物，所述第四濃度小于所述第三濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述濃度梯度隨著所述光刻膠遠離所述襯底延伸而具有減小的濃度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括穿過所述光刻膠的開口，所述開口具有楔形側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述濃度梯度具有階梯狀。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一襯底和位于所述第一襯底上方的第二襯底；

光刻膠，位于所述第一襯底和所述第二襯底上方，所述光刻膠具有與所述襯底相鄰的第一濃度的光敏化合物以及位于從所述第一襯底去除的點處的第二濃度的光敏化合物，所述第二濃度小于所述第一濃度；

第一接觸件，延伸穿過所述光刻膠并且與所述第一襯底電連接，所述第一接觸具有第一楔形側(cè)壁；以及

第二接觸件，延伸穿過所述光刻膠并且與所述第二襯底電連接，所述第二接觸具有第二楔形側(cè)壁。

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底的上方放置第一光刻膠層，所述第一光刻膠層具有第一濃度的光敏化合物；

在所述第一光刻膠層的上方放置第二光刻膠層，所述第二光刻膠層具有第二濃度的光敏化合物，所述第二濃度不同于所述第一濃度；以及

圖樣化所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層，以形成穿過所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層的第一開口。