[發明專利]一種選擇性發射極太陽電池的制備方法

有效

• 申請號: 201210171390.X
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN102709391A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 金井升;王單單;蔣方丹
• 申請（專利權）人: 上饒光電高科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征是含以下步驟：選取預處理的晶體硅片，在晶體硅片表面不同位置形成織構化程度不一致的表面結構，即在需要進行高摻雜深擴散的金屬電極區域不進行織構化或少量織構化，在需要進行低摻雜淺擴散的非金屬電極區域進行深度織構化，接著采用限定源擴散在金屬電極區域沉積有更多雜質，而在非金屬電極區域沉積有較少的雜質，形成選擇性發射極結構，最后經后續工序處理制備形成選擇性發射極太陽電池。

2.根據權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征是：所述的晶體硅片為p型或n型單晶或多晶硅片，其電阻率為0.1~10Ω·cm，厚度為150~500μm。

3.根據權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征是：晶體硅片的預處理含以下工序：選取晶體硅片，去除硅片表面損傷層，形成拋光表面，并進行化學清洗。

4.根據權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征是：采用激光、機械法、掩膜加化學腐蝕的方法在晶體硅片表面不同位置形成織構化程度不一致的表面結構。

5.根據權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征是：采用限定源擴散。

6.根據權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征是：采用限定源擴散在金屬電極區域沉積有更多雜質，而在非金屬電極區域沉積有較少的雜質，對于p型硅片，所述的雜質為磷，砷，銻或鉍元素；對于n型硅片，所述的雜質為硼、鋁、鎵、銦或鉈元素，其在晶體硅片中的導電類型與晶體硅片的導電類型相反。

7.根據權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征是：所述的后續工藝含有去除背面p-n結，或去除周邊p-n結，在晶體硅片前表面沉積減反射層，絲網印刷正電極、背電極和背電場以及燒結工序。

8.根據權利要求7所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征是：絲網印刷正電極的區域即為需要進行高摻雜深擴散的金屬電極區域。