[發明專利]一種基于N型襯底的IBC電池的制備方法

無效

• 申請號: 201210171007.0
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102842646A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 柯航;湯安民;梅曉東;王學林
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

1.一種基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，使用激光摻雜的方法來制備發射極，具體包括以下步驟：

⑴對晶體硅片進行表面織構化處理并進行化學清洗，然后在正背兩面制備介質膜，使硅片表面具有親水性；

⑵在涂有磷源的晶體硅背表面利用激光掃描的方法制備局部N⁺重摻雜結構，并清洗干燥處理；

⑶在涂有硼源的晶體硅背表面利用激光掃描的方法制備局部P⁺重摻雜結構，并清洗干燥處理；

⑷在涂有磷源的晶體硅正表面利用全激光掃描的方法制備N⁺輕摻雜結構；

⑸去除硅片正背兩面的介質膜，并清洗干燥處理；

⑹在硅片兩面制備鈍化膜；

⑺在硅片兩面制備減反射膜；

⑻在硅片背面制作電池正、負電極；并燒結。

2.根據權利要求1所述的基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，對所述步驟⑵、⑶和⑷的次序進行任意調整。

3.根據權利要求1所述的基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟⑵和步驟⑷所述的磷源為磷酸與水和酒精的混合溶液或者磷硅玻璃。

4.根據權利要求1所述的基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟⑶所述的硼源為硼酸溶液或者硼硅玻璃。

5.根據權利要求1所述的基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟⑴所述的介質膜為濕化學氧化或干法氧化生成的SiO₂或者SiNx膜。

6.根據權利要求1所述的基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟⑵、⑶和⑷所述的激光掃描的激光參數為：功率1W-10W、波長200nm-600nm的脈沖。

7.根據權利要求1所述的基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟⑹所述的鈍化膜包括SiO₂、Al₂O₃或α-Si膜。

8.根據權利要求1所述的基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟⑺所述的減反射膜包括SiNx、TiO₂或MgF₂膜。

9.根據權利要求1所述的基于N型襯底的IBC太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟⑻所述的制備電池正、負電極的方法包括絲網印刷、電鍍或化學鍍。