[發明專利]一種埋柵結構異質結太陽電池

無效

• 申請號: 201210171006.6
• 申請日: 2012-05-30
• 公開（公告）號: CN102709347A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 涂宏波;王學林;聶金艷;梅曉東;湯安民
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/077
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

1.一種埋柵結構異質結太陽電池，包括N型單晶硅襯底（9）、電池正極（1）、電池負極（8）、透明導電薄膜（3）以及在所述N型單晶硅襯底（9）正面和背面制備形成的若干膜層；其特征在于：所述的在N型單晶硅襯底（9）正面制備形成的膜層包括P型氫化納米硅膜層（5）和P型重摻雜氫化納米碳化硅膜層（4），并形成p⁺/p高低結；所述N型單晶硅襯底（9）正面和背面的最外層均制備形成一層透明導電薄膜（3）；所述N型單晶硅襯底（9）正面上設有凹槽（2），所述的電池正極（1）設置于凹槽（2）內；所述的電池負極（8）設置于所述N型單晶硅襯底（9）背面。

2.按權利要求1所述的埋柵結構異質結太陽電池，其特征在于：所述的在N型單晶硅襯底（9）正面制備形成的膜層依次為本征氫化納米硅膜層（6）、P型氫化納米硅膜層（5）和P型重摻雜氫化納米碳化硅膜層（4），并在所述P型重摻雜氫化納米碳化硅膜層（4）上制備形成一層透明導電薄膜（3），從表到里形成TCO/p⁺?nc-SiC:H/p?nc-Si:H/i?nc-Si:H/n?c-Si的結構；所述的在N型單晶硅襯底（9）背面制備形成的膜層依次為本征氫化納米硅膜層（6）和N型氫化納米硅膜層（7），并在所述N型氫化納米硅膜層（7）上制備形成一層透明導電薄膜（3），從表到里形成TCO/n⁺nc-Si:H/?i?nc-Si:H/n?c-Si的結構。

3.按權利要求1所述的埋柵結構異質結太陽電池，其特征在于：所述的電池正極（1）和電池負極（8）分別制作在位于所述N型單晶硅襯底（9）正面和背面最外層的透明導電薄膜（3）上；所述的電池正極（1）采用化學鍍制作于所述N型單晶硅襯底（9）正面上所設的凹槽（2）內，所述的電池負極（8）采用印刷方式制作于所述N型單晶硅襯底（9）背面。

4.按權利要求1至3之任意一項所述的埋柵結構異質結太陽電池，其特征在于：所述的N型單晶硅襯底（9）厚度為150-250μm，摻雜濃度為1×10¹⁵-1×10¹⁷/cm³，電導率為0.3-12Ω·cm；所述的本征氫化納米硅膜層（6）厚度為1-5nm；所述的P型氫化納米硅膜層（5）厚度為2-10nm，摻雜濃度為1×10¹⁸-1×10¹⁹/cm³；所述的P型重摻雜氫化納米碳化硅膜層（4）厚度為2-10nm，摻雜濃度為1×10¹⁹-5×10²⁰/cm³；所述的N型氫化納米硅膜層（7）厚度為5-15nm，摻雜濃度為1×10¹⁸-5×10²⁰/cm³；所述的透明導電薄膜（3）厚度為60-120nm；凹槽寬度為30-40μm，深度為15-25μm。

5.按權利要求1至3之任意一項所述的埋柵結構異質結太陽電池，其特征在于：所述的N型單晶硅襯底（9）正面刻槽方法包括激光刻槽、機械刻槽或等離子體刻槽；所述的透明導電薄膜（3）的制作方法包括APCVD、磁控濺射、離子束濺射、熱蒸發或離子束蒸發；在所述N型單晶硅襯底（9）正面和背面制備形成膜層的制備方法包括射頻濺射、PECVD或HWCVD。