[發明專利]一種鑲嵌量子點的多孔二氧化硅復合材料及其制備方法和應用無效
| 申請號: | 201210170046.9 | 申請日: | 2012-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN102690658A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 潘志婷;張志坤;李陽 | 申請(專利權)人: | 廣東普加福光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/88 | 分類號: | C09K11/88;H01L33/56 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 張海文 |
| 地址: | 529020 廣東省江門市國家高*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鑲嵌 量子 多孔 二氧化硅 復合材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料,其由多孔二氧化硅、鑲嵌在多孔二氧化硅表面的半導體量子點以及表面活性劑組成,其中所述多孔二氧化硅所占的重量份為60-100,半導體量子點所占的重量份為0.01-20,表面活性劑所占的重量份為1-15。
2.根據權利要求1所述的鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料,其特征在于:所述多孔二氧化硅所占的重量份為85-94,半導體量子點所占的重量份為2-6,表面活性劑所占的重量份為4-9。
3.根據權利要求1所述的鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料,其特征在于:所述多孔二氧化硅是粒徑20~200nm的多孔顆粒。
4.根據權利要求1所述的鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料,其特征在于:所述半導體量子點為元素周期表第II-VI和第III-V族半導體量子點中的一種或多種。
5.根據權利要求4所述的鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料,其特征在于:所述半導體量子點為粒徑小于10nm的納米半導體量子點。
6.根據權利要求1所述的鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料,其特征在于:所述表面活性劑為有機硅烷偶聯劑或丙烯酸酯類表面活性劑。
7.根據權利要求6所述的鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料,其特征在于:有機硅烷偶聯劑選自KH-550、KH-560、KH-570、KH-580、KH-602、Z-6030和Z-6040中的一種或幾種;丙烯酸酯類表面活性劑選自甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸二丁酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸癸酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸庚酯、甲基丙烯酸十八酯、甲基丙烯酸環己酯和甲基丙烯酸己酯中的一種或幾種。
8.根據權利要求1-6中任一項所述的鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料在光轉換膜中的應用。
9.根據權利要求1-6中任一項所述的鑲嵌量子點的二氧化硅復合材料在LED封裝領域中的應用。
10.一種制備鑲嵌量子點的多孔二氧化硅復合材料的方法,該方法包括以下步驟:
1)將提純后的半導體量子點加入有機溶劑中配成量子點溶液;
2)向上述配置好的半導體量子點溶液中添加多孔二氧化硅,攪拌均勻,然后加入表面活性劑并攪拌均勻;
3)將步驟2)得到的混合物經超聲震蕩10min-24h,離心分離,得到膠體狀物質,用有機溶劑反復清洗膠體狀物質,再離心分離;
4)將步驟3)得到的物質干燥然后粉碎,得到鑲嵌量子點的多孔二氧化硅復合材料。
11.根據權利要求10所述的制備鑲嵌量子點的多孔二氧化硅復合材料的方法,其特征在于:所述有機溶劑選自芳香烴類有機溶劑、脂肪烴類有機溶劑、脂環烴類有機溶劑、鹵化烴類有機溶劑和醇類有機溶劑中的一種或幾種。
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