[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片中電流擴展的方法和發(fā)光二極管芯片

在審

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• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN103456844A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設計）人: 段大衛(wèi);馬克;馬賽羅
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 戴云霓

1.一種發(fā)光二極管LED芯片中電流擴展的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括與N電極電氣接觸的N型約束層、被構建成發(fā)射電磁輻射的多量子阱MQW層和與P電極電氣接觸的P型約束層，所述N型約束層、所述P型約束層分別與所述多量子阱MQW層電氣接觸；

提供具有第一電氣電阻的N型約束層或者N型約束層的選定的部分；

提供具有第二電氣電阻的P型約束層或者P型約束層的選定的部分；

提供具有第一接觸電阻的N電極；

提供具有第二接觸電阻的P電極；以及

選擇所述第一電氣電阻、所述第二電氣電阻、所述第一接觸電阻和所述第二接觸電阻以在非直線路徑引導電子流并且均勻擴展電流穿過所述多量子阱MQW層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供具有第一電氣電阻的N型約束層或者N型約束層的選定的部分包括：

對所述N型約束層進行離子植入或者摻雜以提供所述第一電氣電阻。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供具有第二電氣電阻的P型約束層或者P型約束層的選定的部分包括：

對所述P型約束層進行離子植入或者摻雜以提供所述第二電氣電阻。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供具有第一接觸電阻的N電極包括：

選擇用于N電極的材料以提供所述第一接觸電阻。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供具有第二接觸電阻的P電極包括：

選擇用于P電極的材料以提供所述第二接觸電阻。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，提供具有不同部分的P型約束層。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述不同部分包括具有電氣電阻（R_P1）的中部和具有電氣電阻（R_P2）的相對的外部，其中電氣電阻（R_P2）的電阻值小于電氣電阻（R_P1）的電阻值。

8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述不同部分包括具有電氣電阻（R_P1）的中部和具有電氣電阻（R_P2）的相對的外部，其中電氣電阻（R_P1）的電阻值等于電氣電阻（R_P2）的電阻值。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管LED芯片包括豎直發(fā)光二極管VLED芯片。

10.一種發(fā)光二極管LED芯片，其特征在于，所述發(fā)光二極管LED芯片包括：

N型約束層，所述N型約束層具有第一電氣電阻，與具有第一接觸電阻的N電極電氣接觸；

多量子阱MQW層，所述多量子阱MQW層與所述N型約束層電氣接觸，被構建成發(fā)射電磁輻射；以及

P型約束層，所述P型約束層與所述多量子阱MQW層電氣接觸，具有第二電氣電阻，與具有第二接觸電阻的P電極電氣接觸；

所述第一電阻、所述第二電阻、所述第一接觸電阻和所述第二接觸電阻被選擇以提供通過所述發(fā)光二極管LED芯片的非直線電子流以及穿過所述多量子阱MQW層的均勻的電流擴展。

11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光二極管LED芯片，其特征在于，所述發(fā)光二極管LED芯片包括垂直發(fā)光二極管VLED芯片。

12.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光二極管LED芯片，其特征在于，所述P型約束層包括多個不同部分。

13.根據(jù)權利要求12所述的發(fā)光二極管LED芯片，其特征在于，所述不同部分包括具有電氣電阻（R_P1）的中部和具有電氣電阻（R_P2）的相對的外部，其中電氣電阻（R_P2）的電阻值小于電氣電阻（R_P1）的電阻值。

14.根據(jù)權利要求12所述的發(fā)光二極管LED芯片，其特征在于，所述不同部分包括具有電氣電阻（R_P1）的中部和具有電氣電阻（R_P2）的相對的外部，其中電氣電阻（R_P1）的電阻值等于電氣電阻（R_P2）的電阻值。