[發明專利]用于制造III族氮化物半導體發光器件的方法

有效

• 申請號: 201210169886.3
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102810607A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 奧野浩司;宮崎敦嗣
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32;C23C16/34;C23C16/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;陳煒

1.一種用于制造具有p覆層的III族氮化物半導體發光器件的方法，該方法包括：

通過利用MOCVD重復生長具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN層以及InGaN層來形成所述p覆層，其中，通過在將所述p-AlGaN層保持于生長溫度的同時停止Al源氣體的供應、引入In源氣體并增大Ga源氣體的供應量，在所述p-AlGaN層上形成具有一至兩個單層的厚度的所述InGaN層。

2.根據權利要求1所述的用于制造III族氮化物半導體發光器件的方法，其中，所述p-AlGaN層的生長溫度是800℃至950℃。

3.根據權利要求1所述的用于制造III族氮化物半導體發光器件的方法，其中，當所述p-AlGaN被定義為p-Al_xGa_1-xN時，所述p-AlGaN層具有15mol%至50mol%的Al成分比x。

4.根據權利要求2所述的用于制造III族氮化物半導體發光器件的方法，其中，當所述p-AlGaN被定義為p-Al_xGa_1-xN時，所述p-AlGaN層具有15mol%至50mol%的Al成分比x。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的用于制造III族氮化物半導體發光器件的方法，其中，當所述InGaN被定義為In_yGa_1-yN時，所述InGaN層具有2mol%至10mol%的In成分比y。

6.一種用于制造具有p覆層的III族氮化物半導體發光器件的方法，該方法包括：

第一工藝，即，生長具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN層；

第二工藝，即，將所述p-AlGaN層的表面暴露于用于形成InGaN的氣體，而不通過在將所述p-AlGaN層保持于生長溫度的同時停止Al源氣體的供應、引入In源氣體并增大Ga源氣體的供應來生長InGaN；并且

其中，重復所述第一工藝和所述第二工藝以形成所述p覆層。

7.根據權利要求6所述的用于制造III族氮化物半導體發光器件的方法，其中，所述p-AlGaN層的生長溫度是800℃至950℃。

8.根據權利要求6或7所述的用于制造III族氮化物半導體發光器件的方法，其中，當所述p-AlGaN被定義為p-Al_xGa_1-xN時，所述p-AlGaN層具有15mol%至50mol%的Al成分比x。