[發明專利]用于堆疊的半導體封裝構造及其制造方法無效
| 申請號: | 201210169815.3 | 申請日: | 2012-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN102751267A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發明(設計)人: | 李志成 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L23/29;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 堆疊 半導體 封裝 構造 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明是有關于一種半導體封裝構造及其制造方法,特別是有關于一種用于堆疊的半導體封裝構造及其制造方法。
背景技術
隨著近代科技的日新月異,消費者不斷要求更輕薄且更多功能的電子產品,半導體封裝產業為了滿足各種高密度封裝的需求,逐漸發展出各種不同型式的封裝設計,其中各種不同的系統封裝(system?in?package,SIP)設計概念常用于架構高密度封裝產品。一般而言,系統封裝可分為多芯片模塊(multi?chip?module,MCM)、堆疊式封裝體(package?on?package,POP)及封裝體內堆疊封裝體(package?in?package,PIP)等。所述多芯片模塊(MCM)是指在同一基板上布設數個芯片,在設置芯片后,再利用同一封裝膠體包埋所有芯片,且依芯片排列方式又可細分為堆疊芯片(stacked?die)封裝或并列芯片(side-by-side)封裝。所述堆疊封裝體的構造是指先完成一具有基板的第一封裝體,接著再于第一封裝體上堆疊另一完整的第二封裝體,第二封裝體透過適當電性連接組件(如錫球)電性連接至第一封裝體的基板上,因而成為一復合封裝構造。相較之下,所述封裝體內堆疊封裝體(PIP)的構造則是利用另一封裝膠體將第二封裝體、轉接組件及第一封裝體的元件等一起包埋固定在第一封裝體的基板上,因而成為一復合封裝構造。然而,由于裝配前各個封裝體可以分別單獨測試,因此使得堆疊式封裝體保障了更高的良率以及自由搭配各種不同的元件以便于產品的靈活設計等優點。
在現有的堆疊式封裝體(POP)的結構中,下封裝體的基板一般為印刷電路基板,及其封裝膠體一般是摻雜有固態填充物的環氧樹脂基材,其統稱為模塑化合物(molding?compound),模塑化合物是利用移轉注模成型(transfer?molding)工藝來制作成具預定形狀的封裝膠體,上述的印刷電路基板及移轉注模成型的封裝膠體具有較大的厚度。然而,為了滿足電子產品的輕薄化要求,現有堆疊式封裝體封裝結構的厚度已逐漸無法符合薄型化的需求,而需進一步改良。又,在堆疊式封裝體的厚度逐漸減少的情形下,堆疊式封裝體(POP)的整體結構強度亦會被逐漸減弱,容易因為印刷電路基板與模塑化合物之間的熱膨脹系數(coefficient?of?thermal?expansion,CTE)不同而導致封裝結構的翹曲(warpage),進而容易導致封裝結構的斷裂(crack),另外,由于下封裝體的封裝膠體進行激光鉆孔工藝的容許度縮小,使得縮小封裝膠體的通孔的間距變得困難,因此轉接組件之間的間距已達到極限。結果,由于下封裝體的轉接組件之間的間距太大,使得下封裝體的上表面的面積無法縮減,同時上封裝體的下表面的面積也往往必須配合下封裝體進行設計,進而產生許多不必要的封裝尺寸及材料成本的浪費。
故,有必要提供一種半導體封裝結構及其制造方法,以解決現有技術所存在的問題。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種用于堆疊的半導體封裝構造,以解決現有技術所存在的封裝尺寸及間距極限等問題。
為達成本發明的前述目的,本發明一實施例提供一種用于堆疊的半導體封裝構造。所述半導體封裝構造包含一第一基板、至少一第一芯片、數個轉接組件、至少一絕緣材料層、數個導電盲孔以及一重新分配層。所述第一芯片及所述轉接組件設置于所述第一基板的一上表面。所述絕緣材料層壓合在所述第一基板,以覆蓋所述第一芯片及所述轉接組件,并且具有至少一開孔裸露所述轉接組件,而所述導電盲孔形成于所述開口內。所述重新分配層設置于所述絕緣材料層上,所述重新分配層的上表面具有數個接合墊,所述接合墊透過所述重新分配層以及所述導電盲孔電性連接所述轉接組件。
此外,本發明一實施例提供一種用于堆疊的半導體封裝構造的制造方法。首先,提供一第一基板,所述第一基板具有一上表面。將至少一芯片及數個轉接組件設置于所述第一基板的上表面。接著,將至少一絕緣材料層壓合在所述第一基板的上表面上,以覆蓋所述第一芯片及所述轉接組件,其中,所述絕緣材料層具有至少一開孔裸露所述轉接組件。之后,形成數個導電盲孔于所述開口內以及將一重新分配層設置于所述絕緣材料層上,所述重新分配層的上表面具有數個接合墊,所述接合墊透過重新分配層以及所述導電通孔電性連接所述轉接組件。
為讓本發明的上述內容能更明顯易懂,下文特舉數個實施例,并配合所附圖式,作詳細說明如下:
附圖說明
圖1是本發明一實施例堆疊式半導體封裝構造的剖視圖。
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