[發明專利]存儲器芯片、存儲器系統以及訪問存儲器芯片的方法

無效

• 申請號: 201210169814.9
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102800354A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 樸哲成;崔周善
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408;G11C11/418;G11C11/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李琳

相關申請的交叉引用

本申請要求2011年5月26日在美國專利和商標局提交的美國臨時專利申請第61/490,136號以及2011年9月9日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2011-0092219號的優先權，其公開通過全文引用合并于此。

技術領域

示例實施例涉及存儲器芯片、存儲器系統以及訪問存儲器芯片的方法，更具體地，涉及具有為使用而最優化的存儲容量的存儲器芯片、存儲器系統以及訪問存儲器芯片的方法。

背景技術

用于訪問存儲器芯片的存儲單元（storage?unit）的地址被設置為與存儲器芯片的存儲單元的存儲容量相對應的位的數目。地址的每個位可以具有0值或1值。因此，存儲器芯片的存儲容量可以被設置為標準容量2ⁿ。

發明內容

本公開提供一種具有為使用而最優化的存儲容量的存儲器芯片、存儲器系統以及訪問存儲器芯片的方法。

根據一個實施例，存儲器芯片包括襯底、第一存儲單元和第二存儲單元。第一存儲單元包括具有第一存儲容量2ⁿ的多個第一存儲元件（memory?cell），其中多個第一存儲元件被配置為基于第一選擇信號而激活。第二存儲單包括多個第二存儲元件并且具有第二存儲容量2^n-1，其中多個第二存儲元件被配置為基于第二選擇信號而激活。第一存儲單元和第二存儲單元被布置在襯底上的相同垂直層（vertical?level），并且其中n是正整數。

存儲器芯片還可以包括接口單元，配置為響應于第一選擇信號向外部設備發送或從外部設備接收關于第一存儲單元的第一數據、第一地址和第一控制信號，或者響應于第二選擇信號向外部設備發送或從外部設備接收關于第二存儲單元的第二數據、第二地址和第二控制信號。

接口單元可以包括：第一輸入/輸出單元，被配置為發送或接收關于第一存儲單元的第一數據、第一地址和第一控制信號；以及第二輸入/輸出單元，被配置為發送或接收關于第二存儲單元的第二數據、第二地址和第二控制信號，并且獨立于第一輸入/輸出單元而形成。

接口單元可以包括公共輸入/輸出單元，被配置為發送或接收由關于第一存儲單元的第一數據、第一地址和第一控制信號構成的組中的至少一個，并且發送或接收由關于第二存儲單元的第二數據、第二地址和第二控制信號構成的組中的至少一個。

用于形成第一存儲單元的存儲元件的類型可以與用于形成第二存儲單元的存儲元件的類型相同。

可替換地，用于形成第一存儲單元的存儲元件的類型可以與用于形成第二存儲單元的存儲元件的類型不同。

存儲在第一存儲單元中的數據的使用可以與存儲在第二存儲單元中的數據的使用相同。

可替換地，存儲在第一存儲單元中的數據的使用可以與存儲在第二存儲單元中的數據的使用不同。

根據另一個實施例，一種存儲器芯片包括襯底、存儲單元和控制單元。存儲單元包括具有存儲容量的存儲區域，其中存儲容量大于存儲容量2ⁿ并小于存儲容量2ⁿ⁺¹，其中n是正整數。控制單元被配置為控制將數據寫入存儲單元和從存儲單元讀取數據的操作。存儲單元和控制單元被布置在襯底上。存儲單元的數據響應于比對于2ⁿ存儲容量大1位的單地址可訪問。

如果接收到沒有映射到存儲單元的單地址，則控制單元將關于存儲地址的訪問結果處理為失敗。

控制單元可以像與存儲地址相對應的存儲單元為非激活（non-activated）那樣操作，或者像沒有接收到關于存儲地址的命令那樣操作，從而將訪問結果處理為失敗。

用于訪問存儲單元的單地址可以包括用于訪問存儲體中的一個的存儲體地址，并且關于存儲單元的存儲體地址可以比對于2ⁿ存儲容量的存儲體地址大1位。

用于訪問存儲單元的單地址可以包括用于訪問行中的一個的行地址，并且關于存儲單元的行地址可以比對于2ⁿ存儲容量的行地址大1位。

用于訪問存儲單元的單地址可以包括用于訪問列中的一個的列地址，并且關于存儲單元的列地址可以比對于2ⁿ存儲容量的列地址大1位。

存儲單元可以是由動態隨機存取存儲器(DRAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、閃存、阻變隨機存取存儲器(RRAM)、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)和相變隨機存取存儲器(PRAM)構成的組中的至少一個。