[發(fā)明專利]利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210169810.0
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102683218A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田志;匡玉標(biāo)
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，所述SONOS結(jié)構(gòu)自下至上依次包括硅半導(dǎo)體襯底、第一氧化層、存儲氮化層、第二氧化層和多晶硅柵極，所述方法包括：

提供具有SON結(jié)構(gòu)的晶片，所述SON結(jié)構(gòu)自下至上依次為硅半導(dǎo)體襯底、第一氧化層和存儲氮化層；

在具有所述SON結(jié)構(gòu)的晶片上沉積第二氧化層；

在所述第二氧化層上沉積應(yīng)力層；

進(jìn)行退火工藝；

去除所述應(yīng)力層，以露出所述第二氧化層；

去除部分所述第二氧化層，以去除覆蓋在所述SON結(jié)構(gòu)中之外的第二氧化層，以形成SONO結(jié)構(gòu)；

在所述SONO結(jié)構(gòu)上制備多晶硅柵極，以形成SONOS結(jié)構(gòu)器件。

2.如權(quán)利要求1所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述硅半導(dǎo)體襯底為P型襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，利用化學(xué)氣相沉積工藝沉積所述應(yīng)力層。

4.如權(quán)利要求3所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積工藝為熱分解化學(xué)氣相沉積或等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法。

5.如權(quán)利要求1所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述應(yīng)力層的材料為氮化硅、氮氧化硅中的一種或其組合。

6.如權(quán)利要求1所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述應(yīng)力層的應(yīng)力為0.7Gpa～1.7Gpa。

7.如權(quán)利要求1所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述應(yīng)力層的厚度為

8.如權(quán)利要求1所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述退火工藝為快速熱退火工藝，溫度為900℃～1030℃，時間為2秒～6秒。

9.如權(quán)利要求8所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述快速熱退火溫度為1050℃，時間為3秒～5秒。

10.如權(quán)利要求1所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除所述應(yīng)力層。

11.如權(quán)利要求1所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，在去除部分所述第二氧化層的步驟中，包括：

在所述第二氧化層表面形成掩模圖形，所述掩模圖形覆蓋所述SON結(jié)構(gòu)上的第二氧化層；及

去除所述掩模圖形之外的第二氧化層，形成SONO結(jié)構(gòu)。

12.一種利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，所述SONOS結(jié)構(gòu)自下至上依次包括硅半導(dǎo)體襯底、第一氧化層、氮化層、第二氧化層和多晶硅柵極，所述方法包括：

提供具有SON結(jié)構(gòu)的晶片，所述SON結(jié)構(gòu)自下至上依次為硅半導(dǎo)體襯底、第一氧化層和氮化層；

在具有所述SON結(jié)構(gòu)的晶片上沉積阻擋氧化層；

在所述阻擋氧化層上沉積應(yīng)力層；

進(jìn)行退火工藝；

去除所述應(yīng)力層和所述阻擋氧化層，露出所述SON結(jié)構(gòu)，以形成具有應(yīng)力的SON結(jié)構(gòu)；

在所述具有應(yīng)力的SON結(jié)構(gòu)上制備第二氧化層，以形成SONO結(jié)構(gòu)；

在所述SONO結(jié)構(gòu)上制備多晶硅柵極，以形成以SONOS結(jié)構(gòu)器件。

13.如權(quán)利要求12所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述硅半導(dǎo)體襯底為P型襯底。

14.如權(quán)利要求12所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述阻擋氧化層的材料為氧化硅。

15.如權(quán)利要求12所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，所述阻擋氧化層的厚度為

16.如權(quán)利要求12所述的利用應(yīng)力技術(shù)提高SONOS結(jié)構(gòu)器件編譯速度的方法，其特征在于，利用化學(xué)氣相沉積工藝沉積所述應(yīng)力層。