[發明專利]用于硅片刻蝕的方法及設備

有效

• 申請號: 201210169710.8
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN103456619A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 王大男
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 黃德海

1.一種用于硅片的刻蝕方法，所述硅片的上表面、下表面以及邊緣處形成有磷硅玻璃，其特征在于，包括以下步驟：

（a）去除所述硅片的所述邊緣和所述下表面處的磷硅玻璃；

（b）對所述硅片的邊緣和下表面進行刻蝕，以去除所述硅片上的PN結；以及

（c）去除所述硅片的所述上表面的所述磷硅玻璃。

2.根據權利要求1所述的用于硅片的刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟（a）中，采用包含HF的第一溶液去除所述硅片的邊緣和下表面的磷硅玻璃。

3.根據權利要求2所述的用于硅片的刻蝕方法，其特征在于，所述第一溶液含有硫酸。

4.根據權利要求1所述的用于硅片的刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟（a）之后且在所述步驟（b）之前，除去所述硅片上剩余的第一溶液。

5.根據權利要求4所述的用于硅片刻蝕的方法，其特征在于，除去所述硅片上剩余的第一溶液包括：

采用吸酸滾輪和風刀中的至少一個除去所述硅片的至少其下表面上的剩余的第一溶液。

6.根據權利要求1所述的用于硅片的刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟（b）中，采用刻蝕液為HF和HNO₃的混合溶液對所述硅片進行處理，以去除所述硅片上的PN結。

7.根據權利要求1所述的用于硅片的刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟（c）中，采用含有HF溶液或含有HF和硫酸的混合溶液的第二溶液去除所述硅片上表面的磷硅玻璃。

8.根據權利要求1所述的用于硅片的刻蝕方法，其特征在于，所述第二溶液含有硫酸。

9.一種用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，包括：

第一磷硅玻璃去除裝置，用于去除硅片邊緣和下表面處的磷硅玻璃；

刻蝕裝置，用于對所述硅片的邊緣和下表面進行刻蝕；以及

第二磷硅玻璃去除裝置，用于去除所述硅片的上表面的磷硅玻璃。

10.根據權利要求9所述的用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，所述第一磷硅玻璃去除裝置中設置有含HF的第一溶液，以去除所述硅片的邊緣和下表面的磷硅玻璃。

11.根據權利要求10所述的用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，所述第一溶液為HF溶液或含有HF和硫酸的混合溶液。

12.根據權利要求9所述的用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，所述第一磷硅玻璃去除裝置包括：

第一槽體，所述第一槽體中容納有所述第一溶液；以及

第一傳輸滾輪，所述第一傳輸滾輪至少部分浸潤在所述第一溶液中，且所述硅片在所述第一傳輸滾輪上傳輸。

13.根據權利要求9所述的用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，所述用于硅片的刻蝕設備，還包括：剩余刻蝕液移除裝置，所述剩余刻蝕液移除裝置用于移除經過第一磷硅玻璃去除裝置處理之后的所述硅片上剩余的第一溶液。

14.根據權利要求13所述的用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，所述剩余刻蝕液移除裝置與所述第一磷硅玻璃去除裝置相鄰設置，并且所述剩余刻蝕液移除裝置，包括：

第二槽體，所述第二槽體與所述第一槽體相鄰設置；

第二傳輸滾輪，所述第二傳輸滾輪設置在所述第二槽體中，用于傳輸所述硅片；以及

至少兩個吸酸滾輪，所述吸酸滾輪分別設在所述硅片的上表面和下表面處。

15.根據權利要求13所述的用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，所述剩余刻蝕液移除裝置，包括：

第二槽體，所述第二槽體與所述第一槽體相鄰設置；

第二傳輸滾輪，所述第二傳輸滾輪設置在所述第二槽體中，用于傳輸所述硅片；以及

至少兩個第一風刀，所述第一風刀分別鄰近所述硅片的上表面和下表面設置。

16.根據權利要求14所述的用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，所述剩余刻蝕液移除裝置，還包括：

至少兩個第一風刀，所述至少兩個第一風刀分別鄰近吸酸滾輪設置在所述硅片的上表面和下表面。

17.根據權利要求14所述的用于硅片的刻蝕設備，其特征在于，所述第一槽體和所述第二槽體通過設置在第三槽體中的隔板分隔所形成。