[發(fā)明專利]用于熱輔助記錄的通道?激光源?脈沖系統(tǒng)架構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210169428.X
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102800327B
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J.康特雷拉斯;W.漢森;B.C.斯蒂普;R.扎凱
• 申請（專利權(quán)）人: HGST荷蘭公司
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 郭定輝

1.一種硬盤驅(qū)動器中的集成電路，其包含：

配置成生成驅(qū)動加熱元件的高頻信號的第一信號發(fā)生器，所述加熱元件加熱磁盤中的磁性介質(zhì)；

配置成按照預(yù)定設(shè)置使高頻信號的相位與寫入數(shù)據(jù)信號的相位同步的相位控制器，所述寫入數(shù)據(jù)信號控制磁盤的數(shù)據(jù)寫入；以及

配置成將所述第一信號發(fā)生器產(chǎn)生的高頻信號與DC偏置組合來用于驅(qū)動所述加熱元件的加法器電路，其中DC偏置的值基于所述硬盤驅(qū)動器的運(yùn)行階段而改變。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，進(jìn)一步包含配置成生成寫入數(shù)據(jù)信號的第二信號發(fā)生器，所述寫入數(shù)據(jù)信號基于要寫入磁盤中的接收數(shù)據(jù)。

3.如權(quán)利要求2所述的集成電路，進(jìn)一步包含配置成生成時鐘信號的時鐘信號發(fā)生器，其中所述時鐘信號發(fā)生器獨(dú)立于寫入數(shù)據(jù)信號地生成時鐘信號。

4.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中預(yù)定設(shè)置指示相位控制器(i)使高頻信號的相位與寫入數(shù)據(jù)信號的相位相同，或(ii)相對于高頻信號和寫入數(shù)據(jù)信號之一改變另一個的相位，以便當(dāng)數(shù)據(jù)信號使磁性介質(zhì)的磁取向反向時，高頻信號正在上升和處在最大值上的至少一個。

5.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中高頻信號是方波或一系列脈沖。

6.如權(quán)利要求5所述的集成電路，其中所述第一信號發(fā)生器被進(jìn)一步配置成按照預(yù)定設(shè)置改變方波或一系列脈沖的占空比，以便影響加熱元件加熱磁性介質(zhì)的能力。

7.如權(quán)利要求6所述的集成電路，進(jìn)一步包含配置成存儲預(yù)定設(shè)置的存儲器。

8.一種包含如下的系統(tǒng)：

第一集成電路，其包含：

生成驅(qū)動加熱元件的高頻信號的部件，所述加熱元件加熱磁盤中的磁性介質(zhì)；以及

按照預(yù)定設(shè)置使高頻信號的相位與寫入數(shù)據(jù)信號的相位同步的第一部件，所述寫入數(shù)據(jù)信號控制磁盤的數(shù)據(jù)寫入；

第二集成電路，其包含：

配置成接收高頻信號和將高頻信號與DC偏置組合的加法器電路，其中DC偏置的值基于硬盤驅(qū)動器的運(yùn)行階段而改變；以及

按照預(yù)定設(shè)置使高頻信號的相位與寫入數(shù)據(jù)信號的相位同步的第二部件；以及

互連線，其包含耦合第一和第二集成電路的多種數(shù)據(jù)路徑。

9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含配置成存儲預(yù)定DC偏置設(shè)置、在所述第二集成電路上的第一存儲器，其中DC偏置通過預(yù)定DC偏置設(shè)置確定。

10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含配置成存儲預(yù)定DC偏置設(shè)置、在所述第一集成電路上的第二存儲器，所述第二存儲器被配置成經(jīng)由互連線將預(yù)定DC偏置設(shè)置發(fā)送給第一存儲器。

11.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包含配置成接收基于系統(tǒng)的環(huán)境參數(shù)的信息、在所述第二集成電路上的反饋控制器，所述反饋控制器進(jìn)一步被配置成將所述信息用于調(diào)整DC偏置。

12.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述互連線進(jìn)一步包括指定給寫入數(shù)據(jù)信號和讀取數(shù)據(jù)信號每一個的至少一條數(shù)據(jù)路徑，所述讀取數(shù)據(jù)信號代表從磁盤中讀取的數(shù)據(jù)位。

13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述第一集成電路被配置成只使用指定給讀取數(shù)據(jù)信號的互連線的至少一條數(shù)據(jù)路徑將高頻信號發(fā)送給所述第二集成電路。

14.一種生成驅(qū)動加熱元件的信號的方法，所述加熱元件加熱硬盤驅(qū)動器中的磁盤中的磁性介質(zhì)，所述方法包含：

接收寫入數(shù)據(jù)信號，所述寫入數(shù)據(jù)信號控制磁盤的數(shù)據(jù)寫入；

根據(jù)硬盤驅(qū)動器內(nèi)的時鐘信號生成驅(qū)動加熱元件的高頻信號；

按照預(yù)定設(shè)置使高頻信號的相位與寫入數(shù)據(jù)信號的相位同步；以及

將高頻信號與DC偏置組合，其中所述DC偏置的值基于硬盤驅(qū)動器的運(yùn)行階段而改變。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中高頻信號和寫入數(shù)據(jù)信號兩者都基于時鐘信號。

16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中預(yù)定設(shè)置指示相位控制器(i)使高頻信號的相位與寫入數(shù)據(jù)信號的相位相同，或(ii)相對于高頻信號和寫入數(shù)據(jù)信號之一改變另一個的相位，以便當(dāng)數(shù)據(jù)信號使磁性介質(zhì)的磁取向反向時，高頻信號是正在上升和處在最大值上的至少一個。