[發明專利]三維非易失性存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210169235.4
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN102800361B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 崔殷碩
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;H01L29/792;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 俞波,郭放

1.一種具有三維結構的非易失性存儲器件，包括：

多個存儲串，所述多個存儲串每個都包括串聯耦接的漏極選擇晶體管、漏極側存儲器單元、管道晶體管、源極側存儲器單元以及源極選擇晶體管，其中所述多個存儲串布置在第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向上，并且布置在所述第二方向上的存儲串形成各個存儲串列；

多個位線，所述多個位線在所述第二方向上延伸并且與各個存儲串列中包括的存儲串的漏極選擇晶體管耦接；以及

多個源極線，所述多個源極線在所述第一方向上延伸并且共同耦接到在所述第二方向上彼此相鄰的存儲串的源極選擇晶體管，

其中，所述存儲串中的一個中所包括的所述漏極選擇晶體管和所述源極選擇晶體管在所述第二方向上彼此相鄰，并且所述存儲串列中的一個中所包括的存儲串在所述第一方向上交錯排列，使得所述存儲串列中的每個耦接到所述位線中的至少兩個。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：

多個源極側字線，所述多個源極側字線分別控制一個存儲串中所包括的各個源極側存儲器單元，其中通過相同的源極側字線控制包括在不同的存儲串中并且布置在相同水平處的源極側存儲器單元；以及

多個漏極側字線，所述多個漏極側字線分別控制所述一個存儲串中所包括的漏極側存儲器單元，其中通過相同的漏極側字線控制包括在不同的存儲串中且布置在相同水平處的漏極側存儲器單元。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：

多個公共漏極選擇線，所述多個公共漏極選擇線被配置成分別控制一個存儲串列中所包括的存儲串中的耦接到不同位線的兩個存儲串的漏極選擇晶體管；以及

多個公共源極選擇線，所述多個公共源極選擇線被配置成各自控制一個存儲串列中所包括的存儲串中的耦接到不同位線的兩個存儲串的源極選擇晶體管。

4.如權利要求3所述的非易失性存儲器件，其中，在讀取操作中，選中的公共漏極選擇線和選中的公共源極選擇線被激活，而未選中的公共漏極選擇線和未選中的公共源極選擇線被去激活。

5.如權利要求3所述的非易失性存儲器件，其中，在編程操作中，選中的公共漏極選擇線被去激活，未選中的公共漏極選擇線被激活，并且選中和未選中的公共源極選擇線被去激活。

6.如權利要求3所述的非易失性存儲器件，其中，在編程操作或讀操作中，將一個存儲串中所包括的源極側存儲器單元和漏極側存儲器單元作為各個頁面來驅動，并且將連接到不同的位線并由相同的公共漏極選擇線和相同的公共源極選擇線控制的存儲串作為單個頁面來驅動。

7.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，將一個存儲串列中所包括的奇數編號的存儲串和偶數編號的存儲串耦接到不同的位線。

8.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，將連接到同一源極線的存儲串耦接到同一位線。

9.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，將連接到同一源極線的存儲串耦接到不同的位線。

10.一種具有三維結構的非易失性存儲器件，包括：

多個存儲串，所述多個存儲串每個都包括串聯耦接的漏極選擇晶體管、漏極側存儲器單元、管道晶體管、源極側存儲器單元以及源極選擇晶體管，其中所述多個存儲串布置在第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向上，并且布置在所述第二方向上的存儲串形成各個存儲串列；

多個位線，所述多個位線在所述第二方向上延伸并且與各個存儲串列中包括的存儲串的漏極選擇晶體管耦接；以及

多個源極線，所述多個源極線在所述第一方向上延伸并且共同耦接到在所述第二方向上彼此相鄰的存儲串的源極選擇晶體管，

其中，所述存儲串列中的一個中所包括的存儲串在所述第一方向上交錯排列，以及

其中，將一個存儲串列中所包括的存儲串中的被配置成在所述第二方向上彼此相鄰并且共享所述多個源極線中的一個源極線的存儲串耦接到同一位線，將一個存儲串列耦接到所述多個位線中的三個位線，并且在兩個不同的位線下形成所述源極選擇晶體管的源極接觸插塞。