[發明專利]襯底處理設備、控制該設備的程序及制造半導體器件的方法有效
| 申請號: | 201210169226.5 | 申請日: | 2012-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN102738042A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 白川真人 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立國際電氣 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;董典紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 處理 設備 控制 程序 制造 半導體器件 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請基于分別于2011年4月11日以及2012年1月19日提交的日本專利申請No.2011-87401和No.2012-8958,并要求這些日本專利申請的優先權權益,在此通過參考并入這些申請的全部內容。
技術領域
本公開涉及一種用于處理如晶片等襯底的襯底處理設備、用于控制該襯底處理設備的程序以及用于制造半導體器件的方法,其中,在半導體襯底(例如半導體晶片)上執行薄膜形成工藝等以在其上制造半導體集成電路(此后稱為“IC”)。更特別地,本公開涉及一種具有容納多個襯底的多個襯底容器的襯底處理設備、用于控制該襯底處理設備的程序以及用于制造半導體器件的方法,其中,將第一襯底容器內的襯底連續地單獨運送(或載運)至處理腔以便進行處理,并且隨后,當第一襯底容器內的襯底的處理完成時,將第二襯底容器內的襯底連續地單獨運送至處理腔。
背景技術
在相關技術中,多個襯底容器被安裝在襯底處理設備的裝載端口上;多個安裝的襯底容器中的例如第一襯底容器的蓋子被開啟,以便用于核查容納在其中的晶片的存在或不存在或者晶片的位置;執行晶片映射以便對晶片的片數進行計數;以及在第一襯底容器中的晶片(襯底)被連續地單獨運送至處理腔并被處理。在對第一襯底容器執行晶片映射以后,第二襯底容器的蓋子被開啟,并且對第二襯底容器執行晶片映射。在對第二襯底容器的晶片映射結束以后,第二襯底容器在其蓋子被開啟的情況下被保持在待命狀態;此后,在對第一襯底容器中的所有襯底的處理結束以后,對第二襯底容器中的襯底的處理開始。在相關技術中,還公知一種襯底處理設備,其用于連續地運出來自安裝在裝載端口上的多個襯底容器中的襯底,運送該襯底容器至處理腔中,并在該處理腔中對其進行處理。
在相關技術的襯底處理設備中,多個襯底容器的蓋子(例如,第一襯底容器的蓋子)被開啟,執行晶片映射,然后第一襯底容器中的襯底開始被處理,并且同時,第二襯底容器的蓋子被開啟且執行晶片映射。然而,在這種情況下,即使在用于第二襯底容器的晶片映射結束之后,保持在待命狀態的第二襯底容器的蓋子仍然維持在開啟的狀態。因此,在待命狀態的第二襯底容器中的晶片暴露在襯底處理設備內的氣氛中,從而提供了其中顆粒可以附著到晶片表面的可能性。
發明內容
本公開提供了若干實施例,其中襯底容器的蓋子被開啟,執行諸如晶片映射等的處理,保持在待命狀態的襯底容器的蓋子被關閉,且當襯底容器中的襯底的處理開始時,襯底容器的蓋子再次被開啟。根據本公開的一個實施例,其提供了一種襯底處理設備,包括:安裝架,在該安裝架上保持其中容納多個襯底的襯底容器;蓋子開啟和關閉單元,其被配置用于開啟和關閉安裝在安裝架上的襯底容器的蓋子;襯底核查單元,其被配置用于核查其蓋子被開啟的襯底容器中的襯底的存在或不存在或者襯底的位置;襯底傳送機構,其被配置用于將襯底容器中的襯底傳送到處理腔;襯底處理單元,其被配置用于在已由襯底傳送機構傳送的、處理腔中的襯底上進行處理;以及控制器,其被配置用于控制蓋子開啟和關閉單元、襯底核查單元、襯底處理單元以及襯底傳送機構的操作,其中襯底容器包括第一襯底容器和第二襯底容器,并且,在襯底處理單元處理由襯底傳送機構從第一襯底容器傳送到處理腔的襯底的同時,當第二襯底容器被安裝在安裝架上時,控制器提供控制以開啟第二襯底容器的蓋子并通過襯底核查單元來核查第二襯底容器中的襯底,并且當襯底核查結束時,控制器提供控制以關閉第二襯底容器的蓋子。
附圖說明
圖1是根據本公開的一個實施例的襯底處理裝置的平面視圖。
圖2是襯底處理裝置的側視圖。
圖3是示出了用于控制襯底處理裝置的控制器的配置的方框圖。
圖4是襯底處理裝置的處理單元的側視圖。
圖5是圖示了開啟和關閉襯底處理裝置的襯底容器的蓋子的操作的流程圖。
圖6是圖示了用于當已經執行了預定的先前處理時執行圖5的蓋子開啟和關閉操作的配置例子中的控制器的操作的流程圖。
具體實施方式
現在將參考附圖在下文詳細說明本公開的示例性實施例。
參照圖1和圖2說明根據本發明實施例的襯底處理裝置10。圖1是襯底處理裝置10的平面視圖,而圖2是襯底處理裝置10的側視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





