[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210169185.X
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN103448323A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何進(jìn);劉明剛;譚小安
• 申請（專利權(quán)）人: 中國南玻集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;C03C17/34
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃，其特征在于，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu)：

玻璃基體、屏蔽層以及透明導(dǎo)電氧化物層；

所述透明導(dǎo)電氧化物層的氧化物的晶粒尺寸從靠近所述屏蔽層一側(cè)向遠(yuǎn)離所述屏蔽層一側(cè)逐漸變小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃，其特征在于，所述屏蔽層的折射率從靠近所述玻璃基體一側(cè)向遠(yuǎn)離所述玻璃基體一側(cè)逐漸變大，折射率的變化范圍為1.48~1.56。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃，其特征在于，所述屏蔽層的材質(zhì)為SiO₂，所述屏蔽層的厚度為30nm~100nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物層的材質(zhì)為SnO₂，所述透明導(dǎo)電氧化物層的厚度為500nm~1200nm。

5.一種透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供玻璃基體；

將所述玻璃基體加熱到500℃~650℃，采用常壓化學(xué)氣相沉積法，將甲硅烷和氧化劑分別以惰性氣體為載體，通入到所述玻璃基體表面反應(yīng)形成屏蔽層；

將所述玻璃基體加熱到500℃~600℃，將預(yù)制氣化的錫源、含氧源、摻雜劑和穩(wěn)定劑分別以所述惰性氣體為載體，通入到所述玻璃基體表面在所述屏蔽層上形成透明導(dǎo)電氧化物層，通過控制所述玻璃基體的溫度先高后低、控制所述含氧源和錫源的濃度配比先大后小或控制所述穩(wěn)定劑添加的先多后少，使得所述透明導(dǎo)電氧化物層的氧化物的晶粒尺寸從靠近所述屏蔽層一側(cè)向遠(yuǎn)離所述屏蔽層一側(cè)逐漸變小。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述沉積形成屏蔽層的步驟中，通過控制所述玻璃基體的溫度先高后低或控制所述氧化劑和甲硅烷的濃度配比先大后小，使得所述屏蔽層的折射率從靠近所述玻璃基體一側(cè)向遠(yuǎn)離所述玻璃基體一側(cè)逐漸變大。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，形成所述屏蔽層的步驟中，按照摩爾百分比，甲硅烷的含量為0.1%~10%，氧化劑的含量為10%~50%。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述形成透明導(dǎo)電氧化物層的步驟中，按照摩爾百分比，錫源的含量為5%~60%，含氧源的含量為10%~80%，摻雜劑的含量為1%~10%，穩(wěn)定劑的含量為1%~10%。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述氧化劑為氧氣，所述惰性氣體為氮氣或氬氣。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述錫源為四氯化錫、單丁基三氯化錫、二甲基二氯化錫和四甲基錫中的至少一種；

所述摻雜劑為三氟乙酸、氟化氫、過氟乙酸和全氟醋酸中的至少一種；

所述含氧源為水和過氧水中的至少一種；

所述穩(wěn)定劑為甲醇、乙醇和氯化氫中的至少一種。