[發明專利]一種溝槽終端結構肖特基器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201210168976.0
• 申請日: 2012-05-19
• 公開（公告）號: CN103426937B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 朱江
• 申請（專利權）人: 朱江
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種溝槽終端結構肖特基器件，其特征在于：包括：

襯底層，為半導體材料；

漂移層，為第一傳導類型的半導體材料，位于襯底層之上；

溝槽，位于器件邊緣漂移層中，溝槽內壁表面有絕緣材料，臨靠溝槽內壁區域設置有第二傳導類型半導體材料，臨靠溝槽底部為輕摻雜第二傳導類型半導體材料，臨靠溝槽側壁為輕摻雜第二傳導類型半導體材料，第二傳導類型半導體材料表面為歐姆接觸；

肖特基勢壘結，位于漂移層表面，肖特基勢壘結邊緣臨靠第二傳導類型半導體材料，被溝槽包圍；

上表面電極金屬，為金屬，位于肖特基勢壘結和臨靠肖特基勢壘結第二傳導類型半導體材料表面經溝槽側壁在溝槽底部橫向延伸；

導電層，為金屬，位于器件的邊緣，覆蓋于器件邊緣的第二傳導類型半導體材料表面經溝槽側壁在溝槽底部橫向延伸，并且此導電層不與器件上表面的電極金屬相連。

2.一種如權利要求1所述的溝槽終端結構肖特基器件的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底層上通過外延生長形成第一傳導類型的半導體材料層；

2)在表面形成第一鈍化層，在待形成溝槽區域表面去除第一鈍化層；

3)進行第二傳導類型雜質擴散摻雜，形成第二導電半導體材料；

4)進行刻蝕第二傳導類型半導體材料，形成溝槽；

5)在溝槽內壁形成第二鈍化層，腐蝕去除器件表面第一鈍化層；

6)在器件表面淀積金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結；

7)上表面淀積金屬，進行光刻腐蝕去除部分金屬，形成導電層和上表面電極金屬層。