[發明專利]一種硅基成像器件無效
| 申請號： | 201210168412.7 | 申請日： | 2012-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN103456748A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發明（設計）人： | 李陽 | 申請（專利權）人： | 廣東普加福光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明;王楚鴻 |
| 地址： | 529000 廣東省江門市國家高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 成像 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅基成像器件，包括主體（1），其特征在于：于主體上設有由量子點與高透光率的成膜材料組成具有改變光波波長功能的光轉換膜（2）。
2.根據權利要求1所述的硅基成像器件，其特征在于：所述的量子點為硒化鎘（CdSe）納米晶核，或為納米級CdSe/ZnS核殼結構的納米晶核。
3.根據權利要求1或2所述的硅基成像器件，其特征在于：所述光轉換膜粘附在主體上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
