[發明專利]絕緣子RTV涂層老化的判斷方法

無效

• 申請號: 201210168082.1
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN102680559A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 屠幼萍;王景春;丁立健;陳聰慧;張輝;陳靜靜;王璁
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: G01N27/60
• 分類號: G01N27/60
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;余剛

技術領域

本發明涉及電力設備領域，具體而言，涉及一種絕緣子RTV涂層老化的判斷方法。

背景技術

室溫硫化硅橡膠（Room?Temperature?Vulcanized，RTV）憑借良好的憎水性和憎水遷移性使其具有優良的防污閃性能和眾多特性，成為電力系統解決戶外瓷絕緣設備污閃問題的解決方案，其在傳統瓷絕緣子應用為：在瓷絕緣子的表面加工有一定厚度的室溫硫化硅橡膠涂層，利用室溫硫化硅橡膠涂層的憎水性提高絕緣子整體的防污閃性能。但是RTV涂層在戶外受氣候條件的浸蝕，以及強電磁場環境的影響，防污閃能力就會慢慢的減弱。

RTV涂料老化的主要因素包括表面放電（電暈放電和電弧放電）、潮濕、紫外線、溫度及污穢等。涂料的老化導致絕緣子功能和性能的退化，嚴重時甚至會導致高壓線路的故障。RTV涂料老化的一個主要表現是其表面憎水性的喪失。

目前判斷絕緣子憎水性的主要方法是噴水分級法(Hydrophobcity?Classification，HC分級法)。HC噴水分級法主要是利用判定涂層表面的憎水性狀態來判斷涂層老化程度，這種方法是將RTV涂層的表面憎水性分成HC1~HC7共7個等級，通過對運行狀態下的絕緣子涂層表面進行噴水后的狀態進行拍攝，將拍攝圖像中的傾斜涂層表面水滴的后退角和水膜的覆蓋面積與標準圖像進行對比，將最接近的標準圖像等級作為RTV涂層的表面憎水性等級。但是這種判斷方法主觀依賴性較大，準確度不高，同時圖像中水跡的選擇、拍攝角度、拍攝距離、試樣選區形狀及大小等因素均會影響憎水性的判斷結果，而且測試時的環境溫度、選取的測試面、季節等因素也都會對憎水性分級產生影響。

針對現有技術中存在的絕緣子RTV涂層老化的判斷方法準確度不高的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

發明內容

本發明旨在提供一種絕緣子RTV涂層老化的判斷方法，以解決現有技術中絕緣子RTV涂層老化的判斷方法準確度不高的問題。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種絕緣子RTV涂層老化的判斷方法，該判斷方法包括：對絕緣子RTV涂層進行取樣得到試片；對試片進行熱刺激電流TSC試驗；通過試驗得到的TSC曲線計算試片的陷阱電荷量和陷阱能級；根據試片的陷阱電荷量和陷阱能級判斷RTV涂層的老化程度。

進一步地，對絕緣子RTV涂層進行取樣得到試片之前還包括：對已知老化程度的RTV涂層進行TSC試驗，通過試驗得到的TSC曲線計算標準陷阱電荷量和標準陷阱能級，根據試片的陷阱電荷量和陷阱能級判斷RTV涂層的老化程度包括：將試片的陷阱電荷量和陷阱能級與標準陷阱電荷量和標準陷阱能級進行比較；根據比較結果得出試片的老化程度；利用試片的老化程度確定RTV涂層的老化程度。

進一步地，對已知老化程度的RTV涂層進行TSC試驗，通過試驗得到的TSC曲線計算標準陷阱電荷量和標準陷阱能級包括：對多種規格的已知老化程度的RTV涂層分別進行TSC試驗；通過試驗得到的TSC曲線分別計算各規格RTV涂層的標準陷阱電荷量的數據和標準陷阱能級的數據；按照RTV涂層的規格分別保存該規格對應的標準陷阱電荷量和標準陷阱能級，將試片的陷阱電荷量和陷阱能級與標準陷阱電荷量和標準陷阱能級進行比較包括：根據取樣的RTV涂層的規格從保存的標準陷阱電荷量的數據和標準陷阱能級的數據中確定該RTV涂層規格對應的標準陷阱電荷量和標準陷阱能級；將試片的陷阱電荷量和陷阱能級與取樣的RTV涂層的規格對應的標準陷阱電荷量和標準陷阱能級進行比較。

進一步地，已知老化程度的RTV涂層為未老化的RTV涂層。或者已知老化程度的RTV涂層為已經完全老化的RTV涂層。

進一步地，對絕緣子RTV涂層進行取樣得到試片包括：對絕緣子不同位置的RTV涂層進行取樣得到試片。

進一步地，對絕緣子不同位置的RTV涂層進行取樣得到試片包括：將絕緣子的傘裙沿半徑劃分為面積相等的扇形區域；在每個扇形區域內的上下表面的一個或多個位置對RTV涂層進行取樣得到試片。

進一步地，根據試片的陷阱電荷量和陷阱能級判斷RTV涂層的老化程度之后還包括：記錄試片在絕緣子上的取樣位置、試片的陷阱電荷量和陷阱能級、以及試片取樣的絕緣子的運行環境、運行年限。

進一步地，進行TSC試驗的極化溫度范圍取50℃至65℃；極化電場強度范圍取6kV/mm至8kV/mm；極化時間取20min至30min；冷卻溫度范圍取-80℃至-90℃；升溫速率范圍取2℃/min至3℃/min。