[發明專利]一種擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法

有效

• 申請號: 201210167991.3
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102723273A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 楊渝書;李程;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，具體包括如下步驟：

步驟a、于一半導體基底上形成一復合金屬結構，所述復合金屬結構由下向上依次為氧化硅層、第一阻擋層、金屬層、第二阻擋層、絕緣抗反射層和圖案化的光阻材料層；

步驟b、對所述半導體基底上的復合金屬結構進行刻蝕以形成圖案化的復合金屬結構；

步驟c、清除所述半導體基底上的復合金屬結構表面的光阻材料層以及因刻蝕產生于所述復合金屬結構頂部表面的聚合物；

步驟d、利用氬氣等離子體和氧氣等離子體去除所述復合金屬結構側壁上因刻蝕產生的聚合物；

步驟e、通過清洗去除所述復合金屬結構上的刻蝕殘余物；

步驟f、于所述復合金屬結構表面形成用以隔離大氣的保護膜。

2.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，所述第一阻擋層為鈦或者氮化鈦。

3.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，所述金屬層為鋁層。

4.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，所述第二阻擋層為鈦或者氮化鈦。

5.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，刻蝕所述復合金屬結構的方法為干法刻蝕。

6.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，所述步驟c中清除所述半導體基底上的復合金屬結構表面的光阻材料層以及因刻蝕產生于所述復合金屬結構頂部表面的聚合物的方法為原位灰化，所述原位灰化方法具體包括如下步驟：

步驟c1、保持灰化反應腔于真空狀態；

步驟c2、以3000sccm的水蒸氣對所述復合金屬結構進行20秒鈍化處理，所述灰化反應腔的參數為壓力2000mT、功率5000W、陰極溫度280度、反應腔壁溫度60度；

步驟c3、以5000sccm的氧氣對所述復合金屬結構進行20秒灰化處理，所述灰化反應腔的參數為壓力2000mT、功率5000W、陰極溫度280度、反應腔壁溫度60度；

步驟c4、重復步驟c2至c3兩次后結束。

7.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，所述步驟d中利用氬氣等離子體和氧氣等離子體去除所述復合金屬結構側壁上因刻蝕產生的聚合物的方法具體包括如下步驟：

步驟d1、于所述主刻蝕腔內利用氬氣等離子體對所述復合金屬結構進行20秒處理，所述主刻蝕腔的參數為壓力8mT、源射頻功率600W、偏置射頻功率30W、氬氣300sccm、陰極溫度30度，主刻蝕腔腔壁溫度50度；

步驟d2、于所述主刻蝕腔內利用氧氣等離子體對所述復合金屬結構進行30秒處理，所述主刻蝕腔的參數為壓力12mT、源射頻功率600W、偏置射頻功率50W、氧氣400sccm、陰極溫度30度，主刻蝕腔腔壁溫度50度。

8.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，所述步驟e中通過溶劑進行化學清洗去除所述復合金屬結構上的刻蝕殘余物。

9.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，所述步驟f中的保護膜為富硅氧化硅。

10.如權利要求1所述擴大鋁線干法刻蝕腐蝕缺陷工藝窗口的方法，其特征在于，所述保護膜形成方法為化學汽相淀積。