[發(fā)明專利]半導(dǎo)體模塊系統(tǒng)、半導(dǎo)體模塊及制造半導(dǎo)體模塊的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210167985.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102810531A | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 奧拉夫·基爾施;蒂洛·斯托爾澤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/07 | 分類號(hào): | H01L25/07;H01L25/16;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 德國瑙伊*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 模塊 系統(tǒng) 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體模塊系統(tǒng),包括:
襯底,具有底側(cè)和在垂直方向上與所述底側(cè)間隔開的頂側(cè);
至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片,設(shè)置在所述頂側(cè)上;
至少兩個(gè)的多個(gè)導(dǎo)電性第一連接元件,其中,所述第一連接元件中的每一個(gè)的第一端沿垂直于所述垂直方向的方向從所述襯底的絕緣載體突出;
連接系統(tǒng),包括N≥1個(gè)的多個(gè)連接器;
其中,所述連接器中的第一個(gè)包括至少兩個(gè)導(dǎo)電性第二連接元件,所述第二連接元件中的每一個(gè)具有第一端;
其中,各個(gè)所述第一連接元件的第一端能與所述第二連接元件之一的第一端導(dǎo)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊系統(tǒng),其中,各個(gè)所述第一連接元件的第一端通過插塞式連接與所述第二連接元件之一的第一端導(dǎo)電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊系統(tǒng),其中,各個(gè)所述第一連接元件被形成為在垂直方向上的平均厚度小于200μm的金屬化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊系統(tǒng),其中,各個(gè)所述第一連接元件被形成為在垂直方向上的最大厚度小于600μm的金屬化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊系統(tǒng),其中,所述第二連接元件的各個(gè)第一端被形成為插座,所述插座被配置用于容納所述第一連接元件之一的第一端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊系統(tǒng),其中,所述第一連接元件的各個(gè)第一端被形成為插頭。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊系統(tǒng),其中,所述第一連接元件的第一端沿所述襯底的相對(duì)側(cè)設(shè)置。
8.一種半導(dǎo)體模塊,包括:
襯底,具有底側(cè)和在垂直方向上與所述底側(cè)間隔開的頂側(cè);
至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片,設(shè)置在所述頂側(cè)上;
至少兩個(gè)的多個(gè)導(dǎo)電性第一連接元件,其中,所述第一連接元件中的每一個(gè)的第一端沿垂直于所述垂直方向的方向從所述襯底的絕緣載體突出;
連接系統(tǒng),包括N≥1個(gè)的多個(gè)連接器;
其中,所述連接器中的第一個(gè)包括至少兩個(gè)導(dǎo)電性第二連接元件,所述第二連接元件中的每一個(gè)具有第一端;
其中各個(gè)所述第一連接元件的第一端與所述第二連接元件之一的第一端導(dǎo)電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述第一連接元件中的至少一個(gè)與所述第二連接元件之一形成壓配連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述第二連接元件中的至少一個(gè)第一端被形成為接觸彈簧。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述第一連接元件中的至少一個(gè)第一端通過鎖桿或鉚釘與所述第二連接元件之一的第一端連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述第一連接元件中的至少一個(gè)第一端焊接或鍛接至所述第二連接元件之一的第一端。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述第一連接器包括固定所述第二連接元件的介電底座。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述第二連接元件插入和/或成型在所述介電底座中。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體模塊,其中:
所述介電底座具有下側(cè)和在垂直方向上與所述下側(cè)間隔開的上側(cè);并且
所述第二連接元件中的每一個(gè)具有能在在所述上側(cè)使用的第二端。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述連接系統(tǒng)包括圍繞所述半導(dǎo)體芯片并且部分或全部通過N≥2的多個(gè)連接器形成的框架。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述襯底包括設(shè)置在所述絕緣載體上的頂部金屬化層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述頂部金屬化層的背向所述絕緣載體的那一側(cè)上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體模塊,其中,在所述頂部金屬化層和所述第一連接元件之間設(shè)置有絕緣層。
20.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,所述第一連接元件的第一端沿所述襯底的相對(duì)側(cè)設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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