[發明專利]磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法

有效

• 申請號: 201210167894.4
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN103456622A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 李成材;江家興;范育嘉;陳松寬;王興華;楊淳吉;莊宗仁
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于所述方法包括：

根據產品待蝕刻層的不同預設在進行磷酸工藝對應的多個氧化物蝕刻率下降值；

根據補酸的量的不同預設多個氧化物蝕刻率上升值；

根據各批次晶圓的所述產品待蝕刻層的不同所對應的所述氧化物蝕刻率下降值，推算一氧化物蝕刻率模擬值，當所述氧化物蝕刻率模擬值超出管制界線，則進行補酸；以及

根據所述補酸的量，推算所述氧化物蝕刻率上升值，以決定所述氧化物蝕刻率模擬值的上升程度。

2.如權利要求1所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于所述方法還包括根據所述氧化物蝕刻率模擬值，決定所述各批次晶圓在所述磷酸工藝期間所述補酸的量與時機。

3.如權利要求1所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蝕刻率模擬值的步驟包括：當所述氧化物蝕刻率模擬值接近所述管制界線，選擇所述各批次晶圓中片數較少的進行所述磷酸工藝。

4.如權利要求1所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蝕刻率模擬值的步驟包括：當所述氧化物蝕刻率模擬值接近所述管制界線，選擇所述氧化物蝕刻率下降值中蝕刻率下降較少的進行所述磷酸工藝。

5.如權利要求1所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于：所述補酸的量與所述氧化物蝕刻率模擬值的上升程度成正比。

6.一種磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于所述方法包括：

根據待蝕刻層的不同預設在進行磷酸工藝對應的多個氧化物蝕刻率下降值；

根據補酸的量的不同預設多個氧化物蝕刻率上升值；

根據各批次晶圓的所述待蝕刻層的不同所對應的所述氧化物蝕刻率下降值，推算一氧化物蝕刻率模擬值，當所述氧化物蝕刻率模擬值超出管制界線，則進行補酸；以及

根據所述補酸的量，推算所述氧化物蝕刻率上升值，以決定所述氧化物蝕刻率模擬值的上升程度。

7.如權利要求6所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于：所述待蝕刻層為不同產品中蝕刻量相同的膜層。

8.如權利要求6所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于所述方法還包括根據所述氧化物蝕刻率模擬值，決定所述各批次晶圓在所述磷酸工藝期間所述補酸的量與時機。

9.如權利要求6所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蝕刻率模擬值的步驟包括：當所述氧化物蝕刻率模擬值接近所述管制界線，選擇所述各批次晶圓中片數較少的進行所述磷酸工藝。

10.如權利要求6所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蝕刻率模擬值的步驟包括：當所述氧化物蝕刻率模擬值接近所述管制界線，選擇所述氧化物蝕刻率下降值中蝕刻率下降較少的進行所述磷酸工藝。

11.如權利要求6所述的磷酸工藝控制氧化物蝕刻率的方法，其特征在于：所述補酸的量與所述氧化物蝕刻率模擬值的上升程度成正比。