[發明專利]功率模塊及功率模塊的制造方法

有效

• 申請號: 201210167770.6
• 申請日: 2012-05-28
• 公開（公告）號: CN102810524A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 仙石文衣理;西元修司;西川仁人;長友義幸
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種功率模塊，具備在絕緣層的一面配設有電路層的功率模塊用基板和搭載于所述電路層上的半導體元件，其特征在于，

在所述電路層的一面形成有由含有玻璃成分的含玻璃Ag膏的燒成體構成的第1燒成層，

在該第1燒成層上形成有由氧化銀還原的Ag燒成體構成的第2燒成層。

2.如權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，

所述第1燒成層具備有形成于電路層的一面的玻璃層和層疊于該玻璃層上的Ag層，

所述Ag層上分散有玻璃粒子。

3.如權利要求1或2所述的功率模塊，其特征在于，

所述第2燒成層成為包含氧化銀和還原劑的氧化銀膏的燒成體。

4.如權利要求3所述的功率模塊，其特征在于，

所述氧化銀膏除所述氧化銀及還原劑外還含有Ag粒子。

5.如權利要求1至4中任一項所述的功率模塊，其特征在于，

所述絕緣層為選自AlN、Si₃N₄或Al₂O₃的陶瓷基板。

6.一種功率模塊的制造方法，所述功率模塊具備在絕緣層的一面配設有電路層的功率模塊用基板和搭載于所述電路層上的半導體元件，其特征在于，所述制造方法具備：

通過在所述電路層的一面涂布含有玻璃成分的含玻璃Ag膏并進行加熱處理來形成第1燒成層的工序；

在所述第1燒成層上涂布包含氧化銀和還原劑的氧化銀膏的工序；

在涂布好的氧化銀膏上層疊半導體元件的工序；及

將所述半導體元件和所述功率模塊用基板以層疊的狀態進行加熱來在所述第1燒成層上形成第2燒成層的工序，

并且，接合所述半導體元件和所述電路層。

7.如權利要求6所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，

在形成第2燒成層的工序中的所述氧化銀膏的燒成溫度在150℃以上400℃以下。

8.如權利要求6或7所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，

形成所述第1燒成層的工序中的所述含玻璃Ag膏的燒成溫度在350℃以上645℃以下。

9.如權利要求6至8中任一項所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，

在形成所述第2燒成層的工序中，將所述半導體元件和所述功率模塊用基板以向層疊方向加壓的狀態進行加熱。

10.如權利要求6至9中任一項所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，

所述氧化銀膏除所述氧化銀及所述還原劑外還含有Ag粒子。