[發明專利]一種基于納米線陣列的可調諧激光器及其制備工藝有效
| 申請號： | 201210167392.1 | 申請日： | 2012-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN102684068A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 楊樹明;李磊;韓楓;張坤;胡慶杰;蔣莊德 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | H01S5/30 | 分類號： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 納米 陣列 調諧 激光器 及其 制備 工藝 | ||
1.一種基于納米線陣列的可調諧激光器，其特征在于：包括金屬薄膜電極(1)、納米線(2)和絕緣基底(3)；納米線(2)在絕緣基底(3)上依次均勻排列，納米線(2)的兩端均覆蓋金屬薄膜電極(1)形成正負極，金屬薄膜電極(1)與絕緣基底(3)接觸；在金屬薄膜電極上加電壓，從而使納米線兩端產生激光。
2.根據權利要求1所述的激光器，其特征在于：先后沉積鈦（Ti）和金（Au）形成金屬薄膜電極(1)。
3.根據權利要求1所述的激光器，其特征在于：把不同組分的納米線排列成為納米線陣列，通過控制納米線陣列中不同的納米線在不同時刻發光，從而實現波長可調諧激光器。
4.根據權利要求1所述的激光器，其特征在于：可調諧激光器長度尺寸在微米級，直徑在納米級。
5.一種納米線陣列激光器的制備工藝，其特征在于，包括如下步驟：
1)制備不同組分的納米線；
2)使用超細光纖探針進行搜集，在配有激發光源和光纖探針的掃描探針顯微鏡上把不同組分的納米線排列在同一基底上，形成組分不同的納米線陣列；
3)在納米線陣列表面旋涂合適厚度的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）電子束光刻膠并進行前烘；
4)進行電子束對準光刻，并進行顯影、定影和后烘；
5)采用熱蒸發工藝在PMMA電子束光刻膠表面以及納米線的兩端沉積Ti和Au，并去除剩余的PMMA膠，最后進行退火處理。
6.根據權利要求5所述的工藝，其特征在于，制備納米線的過程為：采用濺射工藝在p型Si基底上制備Au薄膜，進行退火處理使得Au晶粒的取向一致，從而使生長出的納米線陣列的取向一致，接著將退火處理過的基底放入事先配制好的溶液中；將Au薄膜水平向下浸入配置好的溶液，通過水浴生長得到不同形貌的納米線。
7.根據權利要求6所述的工藝，其特征在于，所述Au薄膜的厚度、水浴生長時間的不同，導致生成出不同形貌的納米線。
8.根據權利要求6所述的工藝，其特征在于，溶液配制過程如下：取摩爾比為1∶1的Zn(NO3)2.6H2O和六亞甲基四（HMTA），配制摩爾濃度為5mMol/L的無色澄明水溶液。
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