[發明專利]在基底上形成納米結構的方法及其用途

有效

• 申請號: 201210167215.3
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN103236395A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 蘇周明;劉偉;蔡樹仁;鄭堅偉
• 申請（專利權）人: 新加坡科技研究局
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0352;B82Y40/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;安佳寧

1.在包含硅的基底上提供納米結構的方法，所述方法包括步驟：

(a)在所述基底的表面上沉積過渡金屬層；

(b)退火所述過渡金屬層以形成圖形化過渡金屬層；以及

(c)蝕刻所述基底以在所述基底表面上形成納米結構。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述沉積步驟(a)包括在所述基底表面上濺射所述過渡金屬層的步驟。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中所述過渡金屬選自：Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt和Au。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述過渡金屬為Au。

5.如前述權利要求中任一權利要求所述的方法，其中所述過渡金屬層為2nm至20nm。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述過渡金屬的厚度為3nm、6nm、9nm、12nm、15nm或18nm。

7.如前述權利要求中任一權利要求所述的方法，其中在400°C-750°C的溫度下進行所述退火步驟。

8.如前述權利要求中任一權利要求所述的方法，其中將所述退火步驟進行30秒至90秒。

9.如前述權利要求中任一權利要求所述的方法，其中所述圖形化過渡金屬層包含納米點。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述納米點的形狀為球形、卵形或橢圓形。

11.如前述權利要求中任一權利要求所述的方法，其中所述納米結構可為離散結構或互聯結構。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述離散結構包括圓柱形結構、柱形結構、金字塔形結構、圓錐形結構、穹頂形結構、針狀結構、漸變錐形結構，或其混合物。

13.如前述權利要求中任一權利要求所述的方法，其中所述基底還包含SiO₂層。

14.圖形化硅基底，所述圖形化硅基底包含通過權利要求1-13中任一權利要求所述的方法制備的納米結構。

15.權利要求14所述的圖形化硅基底在沉積和生長氮化鎵(GaN)層中的用途。

16.權利要求14所述的圖形化硅基底在制造光伏(PV)裝置中的用途。

17.權利要求14所述的圖形化硅基底作為陽極的用途。

18.用于在具有圖形化表面的硅基底上沉積氮化鋁(AlN)層的方法，所述方法包括步驟：

(a)提供權利要求14所述的圖形化硅基底；

(b)在所述圖形化表面上傳送三甲基鋁(TMA)以在所述圖形化表面上沉積Al層；

(c)以確定的V/III比和溫度在所述圖形化表面上傳送TMA和氨(NH₃)以導致在所述圖形化表面上沉積AlN；以及

(d)調整所述步驟(c)中的溫度和V/III比以導致二維AlN生長。

19.如權利要求18所述的方法，其中所述調整步驟(d)包括將所述V/III比降低大于50%。

20.如權利要求19所述的方法，其中所述調整步驟(d)還包含降低所述步驟(c)的溫度。

21.如權利要求18至20中任一權利要求所述的方法，其中所述步驟c的V/III比為100至1500。

22.如權利要求18至21中任一權利要求所述的方法，其中在1000°C至1100°C下進行所述步驟(c)。

23.用于在硅基底上提供InGaN/GaN多量子阱(MQW)的方法，所述方法包括步驟：

(i)提供權利要求14所述的圖形化硅基底；

(ii)根據權利要求18-22中任一權利要求所述的方法在所述圖形化硅基底上沉積AlN層；以及

(iii)在所述圖形化硅基底上進一步沉積GaN和AlN層的交替層以達到期望的厚度。