[發(fā)明專利]N型雙面背接觸晶體硅太陽能電池的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210166816.2
• 申請(qǐng)日: 2012-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN102694069A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王登志;殷涵玉;王栩生;章靈軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯（中國）投資有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒;陸金星

1.一種N型雙面背接觸晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)?在N型硅片的正面和背面進(jìn)行制絨；

(2)?在上述硅片的正面和背面均設(shè)置氧化膜；

(3)?在硅片的背面印刷腐蝕漿料，腐蝕去除位于硅片背面的非通孔方塊區(qū)域的氧化膜；所述硅片背面的通孔方塊區(qū)域包括硅片背面的孔及孔的周圍區(qū)域；

(4)?在硅片的背面進(jìn)行擴(kuò)磷，形成擴(kuò)磷層；

(5)?在硅片上開孔；

(6)?刻蝕周邊結(jié)、去除硅片正面和背面的阻擋層、清洗；

(7)?在硅片的正面和孔內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)硼，形成擴(kuò)硼層；

(8)?刻蝕周邊結(jié)；去除硅片表面的雜質(zhì)玻璃；

(9)?在硅片的正面和背面設(shè)置鈍化減反射膜；

(10)?在孔內(nèi)設(shè)置孔金屬電極；雙面印刷金屬電極，燒結(jié)；即可得到N型雙面背接觸晶體硅太陽能電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面背接觸晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中的氧化膜為二氧化硅膜或氮化硅膜，其厚度為40~200?nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面背接觸晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中的腐蝕漿料的主要成分為氟化氫銨或磷酸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的N型雙面背接觸晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：以氟化氫銨為主要成分的腐蝕漿料的腐蝕溫度為室溫，腐蝕時(shí)間為100~600?s。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的N型雙面背接觸晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：以磷酸為主要成分的腐蝕漿料的腐蝕溫度為200~400℃，腐蝕時(shí)間為200~600?s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型雙面背接觸晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)的打孔步驟位于所述步驟(4)和步驟(10)之間的任意位置。