[發明專利]多層陶瓷電子元件和多層陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201210166579.X
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN102810398A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 金相赫;崔宰憲;樸宰成;金柄秀;宋璿基;金俊熙;徐珠明
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/005
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

1.一種多層陶瓷電子元件，所述多層陶瓷電子元件包括：

層壓主體，包括介電層；

多個內電極，形成在層壓主體內，并且具有從層壓主體的一個或更多個面暴露的端部，

其中，當所述多個內電極中相鄰的內電極的中心部分之間的距離為T₁并且所述相鄰的內電極的未暴露邊緣之間的距離為T₂時，T₂與T₁之比為0.80至0.95。

2.如權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，沿層壓方向的相鄰的內電極的中心部分之間的距離T₁小于0.66μm。

3.如權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，距離T₁和T₂是在垂直于層壓主體的第一面的剖面測量的，內電極的所述邊緣不從層壓主體的第一面暴露。

4.如權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，層壓主體的中心部分的厚度D₁大于層壓主體的第一面的厚度D₂，內電極的所述邊緣不從層壓主體的第一面暴露。

5.如權利要求4所述的多層陶瓷電子元件，其中，層壓主體的第一面的厚度D₂與層壓主體的中心部分的厚度D₁之比為0.78至0.95。

6.如權利要求4所述的多層陶瓷電子元件，其中，層壓主體的中心部分的厚度D₁是在所述多個內電極相互疊置的電容形成部分處測量的。

7.如權利要求4所述的多層陶瓷電子元件，其中，層壓主體的中心部分的厚度D₁在200μm至300μm的范圍內。

8.如權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，層壓主體的中心部分的厚度D₁大于層壓主體的第二面的厚度D₃，內電極的所述端部從層壓主體的第二面暴露。

9.如權利要求8所述的多層陶瓷電子元件，其中，層壓主體的第二面的厚度D₃與層壓主體的中心部分的厚度D₁之比為0.75至0.97。

10.如權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，層壓主體的第二面的厚度D₃是在層壓主體的存在有內電極的區域處測量的。

11.如權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述多個內電極中的一個內電極的厚度為0.7μm或更小。

12.一種多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器包括：

層壓主體，具有第一面和第二面；

多個內電極，形成在層壓主體內，并且具有分別從所述第一面和所述第二面暴露的端部，

其中，當所述多個內電極中相鄰的內電極的中心部分之間的距離為T₁并且沿層壓方向的所述相鄰的內電極的未暴露邊緣之間的距離為T₂時，T₂與T₁之比為0.80至0.95，

所述相鄰的內電極的中心部分之間的距離小于0.66μm。

13.如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一面和所述第二面彼此相對，并且沿層壓主體的長度方向設置。

14.如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，層壓主體的中心部分的厚度D₁大于層壓主體的第三面的厚度D₂，內電極的所述邊緣不從所述第三面暴露。

15.如權利要求14所述的多層陶瓷電容器，其中，層壓主體的第三面的厚度D₂與層壓主體的中心部分的厚度D₁之比為0.78至0.95。

16.如權利要求12所述的多層陶瓷電容器，其中，層壓主體的第一面和第二面中的一個面的厚度D₃與層壓主體的中心部分的厚度D₁之比為0.75至0.97。