[發明專利]多層陶瓷電子元件和多層陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201210165986.9
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN102810397B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 金相赫
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 韓明星

本申請要求于2011年5月31日在韓國知識產權局提交的第10-2011-0052480號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開通過引用包含于此。

技術領域

本發明涉及一種多層陶瓷電子元件，更具體地講，涉及一種可靠性高的多層陶瓷電子元件。

背景技術

通常，諸如電容器、電感器、壓電器件、變阻器或熱敏電阻器等的使用陶瓷材料制造的電子元件一般具有由陶瓷材料制成的陶瓷主體、形成在陶瓷主體內部的內電極以及放置在陶瓷主體的表面上以連接到對應的內電極的外電極（即，端子電極）。

在陶瓷電子元件中，多層陶瓷電容器典型地包括：多個順序層壓的介電層；內電極，布置成相互面對，同時使每一個介電層設置在內電極之間；端子電極，電連接到對應的內電極。

這樣的多層陶瓷電容器具有有利的特征，例如，尺寸小但電容高、易于安裝等，并由此廣泛地用作諸如計算機、PDA、移動電話等移動通信設備的組件。

近年來，隨著朝向尺寸更小的、多功能電子產品的趨勢，電子部件已經趨于具有更小的尺寸和高的性能。相適應地，需要電容大而尺寸小的高電容多層陶瓷電容器。為了增大多層陶瓷電容器的電容，應當增加多層陶瓷電容器的層壓的層數而減小介電層和內電極層中的每個層的厚度。然而，如果介電層和內電極變薄且層壓的層數增加，則會增大電介質擊穿的可能性，并且會出現分層和裂紋，從而使多層陶瓷電容器的可靠性下降。因此，在開發高電容多層陶瓷電容器并使其微型化方面存在著限制。

發明內容

本發明的一方面提供了一種可靠性高的多層陶瓷電子元件。

根據本發明的一方面，提供了一種多層陶瓷電子元件，所述多層陶瓷電子元件包括：多層主體，具有介電層；多個內電極，設置在多層主體中，并且具有暴露于多層主體的至少一個面的端部，其中，當T1表示通過疊置多個內電極而形成的電容形成部分的厚度，并且T2表示布置在多層主體的暴露內電極的端部的一個面上的最外面的內電極的端部之間的距離時，T2與T1之比（T2/T1）在0.70至0.95的范圍內，形成有電容形成部分處的多層主體的厚度D1大于多層主體的暴露內電極的端部的第一側的厚度D2。

形成有電容形成部分處的多層主體的厚度D1可以是多層主體的最大厚度。

電容形成部分的厚度T1可以是布置在多層主體的中部的最外面的內電極之間的距離。

電容形成部分的厚度T1可以是作為在多層主體的中部相互垂直的兩個橫截面的交線上布置在最上面的層上的一個內電極與布置在最下面的層上的另一內電極之間的距離來測量的。

電容形成部分的厚度T1與最外面的內電極的端部之間的距離T2可以是在多層主體的同一橫截面上測量的。

最外面的內電極的端部之間的距離T2可以是在多層主體的第一側的中部測量的。

多層主體的第一側的厚度D2與形成有電容形成部分處的多層主體的厚度D1之比可以在0.75至0.97的范圍內。

形成有電容形成部分處的多層主體的厚度D1可以在310μm至320μm的范圍內。

形成有電容形成部分處的多層主體的厚度可以大于多層主體的沒有使內電極的端部暴露的橫向面的厚度。

電容形成部分的厚度T1可以在270μm至280μm的范圍內。

多層主體的第一側的最小厚度D4與多層主體的第一側的最大厚度D3之比可以在0.78至0.95的范圍內。

多層主體的第一側的最小厚度D4可以形成在不存在內電極的余量部分上。

布置在內電極之間的介電層的厚度可以小于0.65μm。

內電極的厚度可以為0.7μm或更小。

根據本發明的另一方面，提供了一種多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器包括：多層主體，具有第一側和第二側；多個第一內電極和多個第二內電極，設置在多層主體中，并且具有暴露于多層主體的第一側和第二側中的至少一側的端部，其中，當通過疊置所述多個第一內電極和所述多個第二內電極而形成的電容形成部分的厚度為T1，并且布置在多層主體的第一側或第二側上的最外面的第一內電極的端部或最外面的第二內電極的端部之間的距離為T2時，T2與T1之比（T2/T1）在0.70至0.95的范圍內；在電容形成部分中相鄰設置的第一內電極和第二內電極之間的距離小于0.65μm；形成有電容形成部分處的多層主體的厚度大于多層主體的第一側或第二側的厚度。

電容形成部分的厚度T1可以是布置在多層主體的中部的最外面的內電極之間的距離。