[發明專利]一種低溫固相反應制備Cu2Se熱電材料的方法

無效

• 申請號: 201210165497.3
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN102674270A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 唐新峰;吳優;謝文杰
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: C01B19/04
• 分類號: C01B19/04
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 唐萬榮

1.一種低溫固相反應制備Cu₂Se熱電材料的方法，其特征在于，它包括如下步驟：

1）以Cu粉、Se粉為原料，按Cu粉和Se粉摩爾比為2:1，稱取Cu粉和Se粉，將兩者混合均勻，得到混合粉體；

2）將混合粉體在壓片機上壓成塊體，將塊體置于石墨坩堝內，抽真空并密封于石英玻璃管中，再置于馬弗爐中650～750℃固相反應12～24h，將所得產物研磨成粉末；

3）將步驟2）所得粉末進行放電等離子體燒結，得到致密塊體，即為Cu₂Se熱電材料。

2.根據權利要求1所述的一種低溫固相反應制備Cu₂Se熱電材料的方法，其特征在于，所述的步驟2）中，固相反應是以2～5℃/min的升溫速率從?200℃升溫到650℃～700℃，然后保溫12h～24h，保溫結束后隨爐冷卻，得到產物。

3.根據權利要求1所述的一種低溫固相反應制備Cu₂Se熱電材料的方法，其特征在于，粉末進行放電等離子體燒結的過程為：將粉末裝入石墨模具中壓實，然后在真空小于10Pa和燒結壓力為30～35MPa條件下進行燒結，先以50～100℃/min的升溫速率升溫到550～600℃，燒結致密化時間為7～10min，得到致密塊體，即為Cu₂Se熱電材料。

4.根據權利要求1所述的一種低溫固相反應制備Cu₂Se熱電材料的方法，其特征在于，所述的步驟1）中，Cu粉、Se粉的質量純度均大于等于99.9%。

5.根據權利要求1所述的一種低溫固相反應制備Cu₂Se熱電材料的方法，其特征在于，所述的步驟2）中，壓片機的壓力為10～15MPa。

6.根據權利要求1所述的一種低溫固相反應制備Cu₂Se熱電材料的方法，其特征在于，所述的步驟2）中，塊體是直徑為10mm的圓柱形塊體。