[發明專利]硅電容器內部多層電極連接結構及連接方法

有效

• 申請號: 201210165420.6
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN102683318A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 陳杰;唐劍平;雷鳴;陳立軍
• 申請（專利權）人: 無錫納能科技有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種硅電容器內部多層電極連接結構，包括襯底（1）；其特征是：所述襯底（1）的表面上形成第一內部電極層，所述第一內部電極層的上方設有若干交替分布的奇數電極層（4）與偶數電極層（5），且奇數電極層（4）與偶數電極層（5）在襯底（1）上方匹配對應；奇數電極層（4）與偶數電極層（5）間設置有介質層（3），且第一內部電極層與鄰近的奇數電極層（4）間通過介質層（3）相連；所述襯底（1）上方設有互連電極，所述互連電極包括第一金屬外電極（12）及第二金屬外電極（14），所述第一金屬外電極（12）與奇數電極層（4）及第一內部電極層等電位連接，第二金屬外電極（14）與偶數電極層（5）等電位連接，第一金屬外電極（12）與第二金屬外電極（14）絕緣隔離。

2.根據權利要求1所述的硅電容器內部多層電極連接結構，其特征是：所述襯底（1）上方最外層的偶數電極層（5）上覆蓋有絕緣介質層（6）；襯底（1）的上方設有奇數層連接孔（7）及偶數層連接孔（8），奇數層連接孔（7）內填充有奇數層連接線（10），且奇數層連接線（10）覆蓋于絕緣介質層（6）上；偶數層連接孔（8）內填充有偶數層連接線（13），且偶數層連接線（13）覆蓋于絕緣介質層（6）上；第一金屬外電極（12）與奇數層連接線（10）歐姆接觸，以通過奇數層連接線（10）與第一內部電極層及奇數電極層（4）等電位連接；第二金屬外電極（14）與偶數層連接線（13）歐姆接觸，以通過偶數層連接線（13）與偶數電極層（5）等電位連接；第一金屬外電極（12）、奇數層連接線（10）通過絕緣隔離層（11）與第二金屬外電極（14）、偶數層連接線（13）絕緣隔離。

3.根據權利要求1所述的硅電容器內部多層電極連接結構，其特征是：所述襯底（1）采用P型導電類型的硅，通過在P型襯底（1）表面摻雜N型雜質形成第一內部電極層。

4.根據權利要求1所述的硅電容器內部多層電極連接結構，其特征是：所述襯底（1）內設有若干凹槽（2），第一內部電極層、介質層（3）及奇數電極層（4）與偶數電極層（5）依次覆蓋于凹槽（2）內。

5.根據權利要求1所述的硅電容器內部多層電極連接結構，其特征是：所述奇數電極層（4）與偶數電極層（5）均為導電多晶硅。

6.根據權利要求1或2或5所述的硅電容器內部多層電極連接結構，其特征是：所述奇數電極層（4）、偶數電極層（5）的厚度為500nm~800nm。