[發(fā)明專利]一種板式PECVD鍍膜載板

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210165386.2
• 申請日: 2012-05-25
• 公開（公告）號: CN102703883A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 姚騫;楊懷進;林大成;黃勇;王虎
• 申請（專利權）人: 奧特斯維能源（太倉）有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 夏雪

技術領域

本發(fā)明涉及一種硅片載板，主要涉及一種在鍍膜工程中可以改善邊緣色差的硅片載板。

背景技術

板式PECVD采用上鍍膜方式時，采用如圖1所示的載板，在載板邊沿容易使氮化硅堆積，導致邊沿色差；尤其是在設備維護后的運行周期末期，邊沿色差較為嚴重。

發(fā)明內容

發(fā)明目的：針對上述現有技術存在的問題和不足，本實用型新提供一種板式PECVD鍍膜載板，可以有效改善邊沿色差的問題。

技術方案：為實現上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術方案一種板式PECVD鍍膜載板，包括載板本體2和凹槽1，所述凹槽1的內壁呈下坡斜面3。

為了使邊沿色差改善的效果達到最好，下坡斜面的高度最好為8mm~15mm,下坡斜面與水平面的傾角優(yōu)選45°-65°。

有益效果：本發(fā)明與現有技術相比，可以避免氮化硅的堆積對等離子場淀積到硅片表面的影響，有效地改善在鍍膜過程中邊沿色差的問題。

附圖說明

圖1為現有技術板式PECVD鍍膜載板的俯視圖；

圖2為圖1的主視圖；

圖3為本發(fā)明板式PECVD鍍膜載板的俯視圖；

圖4為圖3的主視圖；

圖5為膜厚測量示意圖；

圖6為現有技術和本發(fā)明膜厚測量點差值比較圖；

圖中，1、凹槽，2、載板本體，3、下坡斜面。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發(fā)明，應理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領域技術人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。

如圖3和圖4所示，本實用型新板式PECVD鍍膜載板與現有技術的區(qū)別在于：在載板本體2上的凹槽1內壁為下坡斜面3。下坡斜面3的高度最好為8mm~15mm,下坡斜面3與水平面的傾角優(yōu)選45°-65°，這樣可以使改善邊沿色差的效果達到最好。

圖5為膜厚測試示意圖，在硅片上隨意選擇四個點做膜厚測試。圖6為現有技術和本發(fā)明膜厚測量點差值比較圖，▽為四個膜厚測量點間的差值，差值越小，說明均勻性越好，鍍膜效果越佳，由圖可見本發(fā)明的差值小于現有技術的差值。

在凹槽的中心位置還可以設置一個凹槽或者通孔，這樣有助于硅片的鍍膜效率更高。