[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201210165160.2
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN102800693A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 金志永;吳容哲;禹東秀;鄭鉉雨;秦教英;崔成菅;洪亨善;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/06;H01L23/488;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜盛花;陳源

1.一種半導體器件，包括：

布置在襯底上的柵電極；以及

形成在所述襯底上并將分別與所述柵電極的兩端相鄰的第一雜質注入區和第二雜質注入區；以及

在所述第一雜質注入區和所述第二雜質注入區之間形成的溝道區，

其中所述柵電極包括與所述第一雜質注入區相鄰的第一子柵電極和與所述第二雜質注入區相鄰的第二子柵電極，并且

其中所述第一子柵電極和所述第二子柵電極布置在所述溝道區上。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一子柵電極和所述第二子柵電極平行地布置在所述襯底的頂面上。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一子柵電極和所述第二子柵電極延伸跨過所述襯底以分別構成第一子字線和第二子字線，并且

其中所述第一子字線和第二子字線的端部的寬度大于所述第一子柵電極和第二子柵電極的寬度。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述襯底包括單元陣列區域和外圍電路區域，

所述半導體器件還包括：

在所述單元陣列區域中布置在所述襯底上并且電連接到所述第一雜質注入區的位線；以及

在所述外圍電路區域中布置的外圍電路柵電極，

其中所述外圍電路柵電極包括與所述位線相同的材料。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一子柵電極布置在所述襯底中，并且所述第二子柵電極布置在所述襯底中的所述第一子柵電極上。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一雜質注入區和所述第二雜質注入區從所述襯底的表面延伸到所述襯底中。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述第二雜質注入區的底面高于所述第二子柵電極的底面，并且

其中所述第一雜質注入區的底面低于所述第一子柵電極的頂面。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一雜質注入區和第二雜質注入區中的至少一個的寬度為5至20納米。

9.如權利要求6所述的半導體器件，還包括：

分別與所述襯底上的所述第一雜質注入區和所述第二雜質注入區接觸的第一導電焊盤和第二導電焊盤，

其中所述第一導電焊盤和第二導電焊盤分別具有比所述第一雜質注入區和第二雜質注入區中的至少一個更大的寬度。

10.如權利要求5所述的半導體器件，其中所述第二雜質注入區與所述襯底的表面相鄰地布置，并且

其中所述第一雜質注入區布置在比所述第一子柵電極的頂面低的位置處。

11.如權利要求10所述的半導體器件，還包括：

布置在所述襯底上并且電連接到所述第一雜質注入區的位線；以及

與所述柵電極絕緣并且穿過所述襯底與所述位線和所述第一雜質注入區接觸的位線接觸。

12.如權利要求10所述的半導體器件，還包括：

與所述襯底中的所述第一雜質注入區接觸的位線。

13.如權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一子柵電極和所述第二子柵電極延伸跨過所述襯底的內側以分別構成第一子字線和第二子字線，并且

其中所述第一子字線的端部的側壁不與所述第二子字線的端部的側壁垂直交疊。

14.如權利要求13所述的半導體器件，其中所述第二子字線的端部布置成暴露所述襯底中的所述第一子字線的端部。

15.如權利要求13所述的半導體器件，其中所述第一子字線的端部和第二子字線的端部延伸到所述襯底上以彼此形成臺階形狀。

16.如權利要求13所述的半導體器件，其中所述第一子字線的端部和第二子字線的端部分別具有L形狀，并且

其中所述第一子字線的端部的頂面與所述第二子字線的頂面共面。

17.如權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一子柵電極和第二子柵電極分別具有半圓形截面。

18.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

布置在所述第二雜質注入區上并且電連接到所述第二雜質注入區的數據存儲元件。