[發(fā)明專利]微弧氧化離子交換膜電解槽槽液補加方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210164994.1
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN102703947A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭興伍;朱榮;陳潔;吳松林;易俊蘭;王少華;于文江
• 申請（專利權(quán)）人: 上海飛機制造有限公司;上海交通大學(xué)
• 主分類號: C25D11/04
• 分類號: C25D11/04
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳長會;金惠淑

1.一種微弧氧化離子交換膜電解槽槽液補加方法，包括如下步驟：

（1）測定陰極室溶液中的氫氧化物含量；

（2）根據(jù)測定的氫氧化物含量和擬補加的微弧氧化溶液量以及微弧氧化電解液的起始組成中氫氧化物含量，將一定量的陰極室溶液轉(zhuǎn)移到微弧氧化溶液補加槽中；

（3）根據(jù)擬補加的微弧氧化溶液量和微弧氧化電解液起始組成中各組分的含量，計算擬補加的微弧氧化溶液中其它添加劑的用量并將其加入補加槽中，充分攪拌后使其溶解；

（4）在補加槽中添加純凈水，使得氫氧化物含量和其它添加劑的含量稀釋到微弧氧化溶液的起始含量，得到補加溶液；

（5）將補加溶液加入正在循環(huán)攪拌的微弧氧化離子交換膜電解槽的陽極室中，控制補加溶液的流量并測量補加后微弧氧化溶液的pH值，使其pH值在微弧氧化溶液的起始pH值工作范圍內(nèi)；

（6）對補加溶液的微弧氧化離子交換膜電解槽陽極室溶液進行循環(huán)攪拌。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)微弧氧化電參數(shù)或者進行微弧氧化的工件表面氧化質(zhì)量超出正常工藝允許范圍時，停止氧化并進行所述步驟（1）-（6）。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述電參數(shù)包括起弧電壓和電流。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，工件表面氧化質(zhì)量包括氧化層表面均勻性、粗糙度和厚度。

5.如權(quán)利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述氫氧化物為堿金屬氫氧化物。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述氫氧化物為氫氧化鈉、氫氧化鉀或氫氧化鋰。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述氫氧化物為氫氧化鈉。

8.如權(quán)利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，步驟（4）中所加純凈水的電導(dǎo)率小于0.1μs/cm。

9.如權(quán)利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，所述量為體積量。

10.如權(quán)利要求1-9任一所述的方法，其特征在于，步驟（6）中對陽極室溶液循環(huán)攪拌至少30分鐘。

11.如權(quán)利要求1-10任一所述的方法，其特征在于，步驟（5）中用氫氧化鈉或者氨水調(diào)整pH值，使其pH值在微弧氧化溶液的起始pH值工作范圍內(nèi)。

12.如權(quán)利要求1-11任一所述的方法，其特征在于，所述方法用于鋁合金、鎂合金或鈦合金的微弧氧化。

13.如權(quán)利要求1-12任一所述的方法，其特征在于，所述其它添加劑包括硅酸鈉、磷酸鈉、鋁酸鈉和硼酸鈉中的至少一種。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述其它添加劑還包括N(C₂H₄OH)₃或者NH₃.H₂O。