[發明專利]晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201210164980.X
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN103426763A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 劉煥新
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成多個柵極結構，所述柵極結構包括柵介質層、柵極、包圍柵極的第一側墻、包圍所述第一側墻的第二側墻以及覆蓋于所述柵極上的第二側墻材料層，形成位于柵極結構之間襯底上的金屬硅化物；

去除所述第二側墻以及覆蓋于所述柵極上的第二側墻材料層；

形成填滿柵極結構之間并覆蓋所述柵極結構的犧牲層；

去除位于所述柵極結構上的部分犧牲層和部分第一側墻，使剩余犧牲層、剩余第一側墻與柵極的表面齊平；

去除位于柵極結構之間的剩余犧牲層；

在金屬硅化物、剩余第一側墻和柵極上覆蓋應力層。

2.如權利要求1所述晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一側墻的材料為氧化硅或氮化硅，所述第二側墻的材料為氮化硅。

3.如權利要求2所述晶體管的制造方法，其特征在于，在去除第二側墻和第二側墻材料層之前還包括：在金屬硅化物上形成保護層。

4.如權利要求3所述晶體管的制造方法，其特征在于，所述保護層的材料為氧化硅，在金屬硅化物上形成保護層的步驟包括：通過含臭氧的去離子水氧化金屬硅化物，以在金屬硅化物表面形成氧化硅。

5.如權利要求2、3或4所述晶體管的制造方法，其特征在于，去除所述第二側墻以及覆蓋于所述柵極上的第二側墻材料層的步驟包括：通過磷酸溶液去除第二側墻和第二側墻材料層。

6.如權利要求4所述晶體管的制造方法，其特征在于，臭氧的含量在20~90ppm的范圍內，氧化時間為30~120s的范圍內。

7.如權利要求1所述晶體管的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為有機硅氧烷，通過旋涂的方式形成所述犧牲層。

8.如權利要求1所述晶體管的制造方法，其特征在于，在去除所述第二側墻以及覆蓋于所述柵極上的第二側墻材料層之后，剩余第一側墻在柵極上形成突出于柵極表面的凸起，所述犧牲層至少覆蓋所述凸起。

9.如權利要求1所述晶體管的制造方法，其特征在于，所述去除位于所述柵極結構上的部分犧牲層的步驟包括：通過干法蝕刻法去除部分犧牲層，并以柵極作為蝕刻停止層。

10.如權利要求1所述晶體管的制造方法，其特征在于，所述去除位于所述柵極結構上的部分犧牲層的步驟包括：通過化學機械研磨的方法去除部分犧牲層，直至剩余犧牲層與柵極的表面齊平。

11.如權利要求1所述晶體管的制造方法，其特征在于，所述去除位于柵極結構之間的剩余犧牲層的步驟包括：通過化學溶液的方法去除所述剩余犧牲層。

12.如權利要求11所述晶體管的制造方法，其特征在于，通過化學溶液的方法去除所述剩余犧牲層的步驟包括：通過在酸槽中浸泡的方式去除所述剩余犧牲層，溫度位于40~60℃的范圍內，反應時間為2~10分鐘。

13.如權利要求11所述晶體管的制造方法，其特征在于，通過化學溶液的方法去除所述剩余犧牲層的步驟包括：通過單片旋轉的方式去除所述剩余犧牲層，溫度位于40~60℃的范圍內，反應時間為0.5~2分鐘。