[發明專利]多晶硅錠鑄造用鑄模及其制造方法和多晶硅錠的鑄造方法無效
| 申請號： | 201210163672.5 | 申請日： | 2012-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN103225105A | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發明（設計）人： | 磯村敬一郎;山崎寬司;齊藤剛 | 申請（專利權）人： | 日本精細陶瓷有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/04;F27B14/10 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 蔣雅潔;孟桂超 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 鑄造 鑄模 及其 制造 方法 | ||
1.一種以二氧化硅為主體主材質的多晶硅錠鑄造用鑄模，其特征在于，
所述多晶硅錠鑄造用鑄模通過在與熔融的多晶硅接觸側的鑄模主體表面，涂覆含有氮化硅的漿體并進行燒結，從而具有氣孔率范圍為20％～30％、厚度為0.5mm以上的覆膜層。
2.根據權利要求1所述的多晶硅錠鑄造用鑄模，其特征在于，所述氮化硅的純度范圍為99％～99.99％。
3.根據權利要求1所述的多晶硅錠鑄造用鑄模，其特征在于，所述二氧化硅的純度范圍為70％～99％。
4.一種以二氧化硅為主體主材質的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，包括：
在與熔融的多晶硅接觸側的鑄模主體表面，涂覆含有氮化硅的漿體的工序；
對涂覆所述漿體后的鑄模主體進行燒結，形成氣孔率范圍為20％-30％、厚度為0.5mm以上的覆膜層的工序；
5.根據權利要求4所述的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，所述氮化硅的純度范圍為99％～99.99％。
6.根據權利要求4所述的多晶硅錠鑄造用鑄模的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅的純度范圍為70％～99％。
7.一種多晶硅錠的鑄造方法，其特征在于，
使用以二氧化硅為主體主材質的多晶硅錠鑄造用鑄模，所述多晶硅錠鑄造用鑄模通過在與熔融的多晶硅接觸側的鑄模主體表面涂覆含有氮化硅的漿體并進行燒結，從而具有氣孔率范圍為20％～30％、厚度為0.5mm以上的覆膜層；
所述多晶硅錠的鑄造方法包括：
在所述多晶硅錠鑄造用鑄模的內部，使破碎狀的多晶硅熔融凝固而形成多晶硅錠的工序；
將形成的所述多晶硅錠從所述多晶硅錠鑄造用鑄模中取出的工序。
8.根據權利要求7所述的多晶硅錠的鑄造方法，其特征在于，所述氮化硅的純度范圍為99％～99.99％。
9.根據權利要求7所述的多晶硅錠的鑄造方法，其特征在于，所述二氧化硅的純度范圍為70％～99％。
10.根據權利要求7所述的多晶硅錠的鑄造方法，其特征在于，所述多晶硅錠中的含碳量和含氧量分別為2ppm及11ppm以下。
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