[發明專利]一種多層結構V2O3限流元件的制備方法無效
| 申請號： | 201210163557.8 | 申請日： | 2012-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN102682940A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 楊敬義;劉青 | 申請（專利權）人： | 成都順康新科孵化有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/02 | 分類號： | H01C7/02;C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都博通專利事務所 51208 | 代理人： | 謝煥武 |
| 地址： | 611731 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多層 結構 sub 限流 元件 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多層結構V2O3限流元件的制備方法，其特征是按照以下步驟制備：
a、介質陶瓷粉末、V2O3導電陶瓷粉末分別與粘合劑混合而配制成介質陶瓷漿料及導電陶瓷漿料；?
b、在巴塊模板上用介質陶瓷漿料通過涂布或流延方式形成介質陶瓷膜，并用加熱方式使其干燥固化形成陶瓷層；?
c、在已固化的陶瓷層上用導電陶瓷漿料通過涂布或流延方式形成導電陶瓷膜；?
d、用加熱方式使涂布或流延的導電陶瓷膜固化形成V2O3功能層；??
e、在已固化的V2O3功能層上用介質陶瓷漿料通過涂布或流延方式形成介質陶瓷膜；?
f、用加熱方式使涂布或流延的介質陶瓷膜固化形成陶瓷層；
g、繼續執行c至f步驟直至形成所需要的陶瓷層或V2O3功能層數，經切割后而制成多層結構V2O3限流元件的生坯；?
h、將上述多層結構V2O3限流元件的生坯排膠、燒結，而制成多層結構V2O3限流元件的芯片，再經端涂、電鍍工序制成成品。
2.根據權利要求?1?所述的一種多層結構V2O3限流元件的制備方法，其特征是步驟g中陶瓷層和V2O3功能層為交替疊片，最外層為陶瓷層，V2O3功能層疊夾在陶瓷層中，V2O3功能層至少一層。
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