[發明專利]磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶

有效

• 申請號: 201210163556.3
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN102703872A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 趙銘
• 申請（專利權）人: 廣東友通工業有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 東莞市創益專利事務所 44249
• 代理人: 李衛平

1.磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，包括有靶頭（1）和靶材（2），其特征在于：靶頭（1）設有可相對轉動的靶芯（11）和中空筒狀的外殼（12），靶芯（11）穿設于外殼（12）中空部并延伸到靶材（2）內中部，于靶芯（11）之穿入靶材（2）的部分外周分布有磁塊（3），靶材（2）的一端通過法蘭（4）與靶頭的外殼（12）軸向銜接在一起。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于：所述靶芯（11）相對中空筒狀的外殼（12）轉動，所述靶材（2）的一端通過法蘭（4）與靶頭的外殼（12）軸向銜接在一起，恰使靶材（2）內腔與靶頭的外殼（12）內腔形成連通的密封腔（5），靶芯（11）位于密封腔（5）中；所述靶芯（11）的內部還設有冷卻通道（111），冷卻通道（111）的入口（1111）連通到靶頭（1）外接冷卻液；而冷卻通道（111）的出口（1112）位于靶芯（11）之穿入靶材（2）的一端端頭，冷卻通道（111）的出口（1112）連通密封腔（5），密封腔（5）設有出口（51）。

3.根據權利要求2所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于：所述密封腔（5）設有出口（51）設置在靶頭的外殼（12）上。

4.根據權利要求2所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于：所述靶芯（11）上的磁塊（3）按靶芯（11）外周均勻分布，且采用高磁和低磁相互間隔的分布。

5.根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于：所述靶頭的外殼（12）相對靶芯（11）轉動，所述靶材（2）的一端通過法蘭（4）與靶頭的外殼（12）軸向銜接在一起，靶材（2）與靶頭的外殼（12）銜接后恰使靶材（2）內腔與靶頭的外殼（12）內腔形成連通的密封腔（5），靶芯（11）位于密封腔（5）中；所述靶芯（11）的內部還設有冷卻通道（111），冷卻通道（111）的入口（1111）外接冷卻液；而冷卻通道（111）的出口（1112）位于靶芯（11）之穿入靶材（2）的一端端頭，冷卻通道（111）的出口（1112）連通密封腔（5），密封腔（5）設有出口（51）。

6.根據權利要求5所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于：所述密封腔（5）的出口（51）設置在靶芯（11）之固定座（112）上，固定座（112）設有端口軸向對接外殼（12）的一端口。

7.根據權利要求2或5所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于：靶芯（11）之穿入靶材（2）的部分外周還套設有輔助環（6），輔助環（6）的外徑小于處于靶材（2）內的密封腔（5）之內徑。

8.根據權利要求5所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于：所述靶芯（11）上的磁塊（3）按靶芯（11）外周的半圓周均勻分布。