[發明專利]一種多晶料在區熔單晶硅中的一次成晶工藝制備方法

無效

• 申請號: 201210163300.2
• 申請日: 2012-05-24
• 公開（公告）號: CN103422156A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 劉劍
• 申請（專利權）人: 劉劍
• 主分類號: C30B13/00
• 分類號: C30B13/00;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多晶料在區熔單晶硅中的一次成晶工藝制備方法，其特征在于，按照如下步驟實現：

(1)將待加工原料進行切斷、刻槽；

(2)將表面顆粒去除干凈至光滑有亮度，再使用超聲波清洗機清洗腐蝕原料，同時在清洗后加入調配處理劑，再次清洗，得到要求較高的多晶硅；

(3)將上述處理的多晶硅，轉入有保護氣體存在的區熔單晶爐內，然后進行清爐、裝爐、抽空、預熱、化料處理步驟；

(4)將籽晶與熔硅進行熔接，熔接后啟動上下軸轉速，上軸轉速至1～2rpm/min，下軸轉速至2～15rpm/min，調整下軸移速到2～14mm/min，進行細頸生長，使細頸直徑達到3～5mm，長度達到60～90mm；

(5)在細頸生長結束后，進行放肩、出包、擴肩處理；緩慢降低下軸移速至3～5mm/min，并相應增加電流電壓至4～7kv，同時增加上軸下移速度至6～8mm/min進行放肩過程，在放肩直徑與單晶直徑相差5～10mm時，將放肩速度減慢至3～4mm/min進行轉肩，使之達到單晶硅目標直徑51～55mm；

(6)當達到單晶硅目標直徑，以2～4±1mm/min生長速度進行等徑生長，并同時開始正轉和反轉的同時運行狀態；當單晶硅拉至尾部進行收尾時，停止轉速的狀態變為單一狀態及同方向狀態運行，緩慢降低功率和上軸移速，縮小單晶硅直徑，直至與所需成品單晶直徑相差5～10mm，上軸向上移速，拉斷熔區，保持下軸移速和轉速不變方向不變，直到熔區收尾過程完成，高壓處于保持狀態，停爐冷卻時間為1小時，進行清爐工序即可得到區熔硅單晶的產品。